1N6080US
Microsemi
Изображения приведены только для справки.
См. Спецификации продукта для информации о продукте.
Купить 1N6080US с уверенностью от AtechElec.com, 1 год гарантии
См. Спецификации продукта для информации о продукте.
Купить 1N6080US с уверенностью от AtechElec.com, 1 год гарантии
Запрос цитаты
| Часть № | 1N6080US |
|---|---|
| производитель | Microsemi |
| Описание | DIODE GEN PURP 100V 2A G-MELF |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Содержит несоответствие свинца / RoHS |
| Ссылка Цена (в долларах США) | 100 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $38.43 | |||||
Спецификация
Техническая спецификация
| Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если: | 1.5V @ 37.7A |
|---|---|
| Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс): | 100V |
| Поставщик Упаковка устройства: | G-MELF (D-5C) |
| скорость: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Серии: | - |
| Обратное время восстановления (ТИР): | 30ns |
| упаковка: | Bulk |
| Упаковка /: | SQ-MELF, G |
| Рабочая температура - Соединение: | -65°C ~ 155°C |
| Тип установки: | Surface Mount |
| Уровень чувствительности влаги (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Диод Тип: | Standard |
| Подробное описание: | Diode Standard 100V 2A Surface Mount G-MELF (D-5C) |
| Ток - Обратный утечки @ Vr: | 10µA @ 100V |
| Текущий - средний выпрямленный (Io): | 2A |
| Емкостной @ В.Р., F: | - |
| Email: | info@atechelec.com |
Вводить
Мы можем предоставить 1N6080US, использовать форму цитаты запроса, чтобы запросить 1N6080US PIRCE и время выполнения заказа.Atech Electronics Профессиональный дистрибьютор электронных компонентов.С 3+ миллионами линейных элементов доступных электронных компонентов может быть доставлена в короткие сроки, а более 250 тысяч деталей в складе на складе для немедленной доставки, что может включать номер детали 1N6080US. Цена и время за выполнение 1N6080US в зависимости от количестваТребуется, доступность и склад
Связанные части для 1N6080US
| Фото | Тип продуктов | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
1N6097 | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 30V 50A DO5 | запрос |
 |
1N6081 | Semtech | DIODE GEN PURP 150V 5A AXIAL | запрос |
 |
1N6078US | Microsemi | DIODE GEN PURP 150V 6A D5B | запрос |
|
1N6076US | Microsemi | DIODE GEN PURP 50V 6A D5B | запрос |
|
1N6081US | Microsemi | DIODE GEN PURP 150V 2A G-MELF | запрос |
|
1N6079US | Microsemi | DIODE GEN PURP 50V 2A G-MELF | запрос |
 |
1N6079 | Microsemi | DIODE GEN PURP 50V 2A AXIAL | запрос |
 |
1N6095R | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY REV 30V DO4 | запрос |
|
1N6081 | Microsemi | DIODE GEN PURP 150V 2A AXIAL | запрос |
|
1N6079 | Semtech | DIODE GEN PURP 50V 5A AXIAL | запрос |
|
1N6077 | Microsemi | DIODE GEN PURP 100V 1.3A AXIAL | запрос |
|
1N6096R | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY REV 40V DO4 | запрос |
|
1N6078 | Microsemi | DIODE GEN PURP 150V 1.3A AXIAL | запрос |
|
1N6096 | Microsemi | SCHOTTKY RECTIFIER | запрос |
|
1N6097 | Microsemi | SCHOTTKY RECTIFIER | запрос |
|
1N6080 | Semtech | DIODE GEN PURP 100V 5A AXIAL | запрос |
|
1N6096 | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 40V 25A DO4 | запрос |
|
1N6077US | Microsemi | DIODE GEN PURP 100V 6A D5B | запрос |
|
1N6095 | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 30V 25A DO4 | запрос |
 |
1N6080 | Microsemi | DIODE GEN PURP 100V 2A AXIAL | запрос |