2N2221AUA
Microsemi
Изображения приведены только для справки.
См. Спецификации продукта для информации о продукте.
Купить 2N2221AUA с уверенностью от AtechElec.com, 1 год гарантии
См. Спецификации продукта для информации о продукте.
Купить 2N2221AUA с уверенностью от AtechElec.com, 1 год гарантии
Запрос цитаты
| Часть № | 2N2221AUA |
|---|---|
| производитель | Microsemi |
| Описание | TRANS NPN 50V 0.8A |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Содержит несоответствие свинца / RoHS |
| Ссылка Цена (в долларах США) | 100 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $17.40 | |||||
Спецификация
Техническая спецификация
| Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс): | 50V |
|---|---|
| Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic: | 1V @ 50mA, 500mA |
| Тип транзистор: | NPN |
| Поставщик Упаковка устройства: | 4-SMD |
| Серии: | - |
| Мощность - Макс: | 500mW |
| упаковка: | Bulk |
| Упаковка /: | 4-SMD |
| Другие названия: | 1086-20679 1086-20679-MIL |
| Рабочая Температура: | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Тип установки: | Surface Mount |
| Уровень чувствительности влаги (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Стандартное время изготовления: | 12 Weeks |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Частота - Переход: | - |
| Подробное описание: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 800mA 500mW Surface Mount 4-SMD |
| DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce: | 40 @ 150mA, 10V |
| Ток - Коллектор Граничная (Макс): | 50nA |
| Ток - коллектор (Ic) (Макс): | 800mA |
| Email: | info@atechelec.com |
Вводить
Мы можем предоставить 2N2221AUA, использовать форму цитаты запроса, чтобы запросить 2N2221AUA PIRCE и время выполнения заказа.Atech Electronics Профессиональный дистрибьютор электронных компонентов.С 3+ миллионами линейных элементов доступных электронных компонентов может быть доставлена в короткие сроки, а более 250 тысяч деталей в складе на складе для немедленной доставки, что может включать номер детали 2N2221AUA. Цена и время за выполнение 2N2221AUA в зависимости от количестваТребуется, доступность и склад
