2SC4935-Y,Q(J
Toshiba Semiconductor and Storage
Изображения приведены только для справки.
См. Спецификации продукта для информации о продукте.
Купить 2SC4935-Y,Q(J с уверенностью от AtechElec.com, 1 год гарантии
См. Спецификации продукта для информации о продукте.
Купить 2SC4935-Y,Q(J с уверенностью от AtechElec.com, 1 год гарантии
Запрос цитаты
| Часть № | 2SC4935-Y,Q(J |
|---|---|
| производитель | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Описание | TRANS NPN 3A 50V TO220-3 |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Без свинца / Соответствует RoHS |
| Ссылка Цена (в долларах США) | Получение предложения | ||||
Спецификация
Техническая спецификация
| Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс): | 50V |
|---|---|
| Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic: | 600mV @ 200mA, 2A |
| Тип транзистор: | NPN |
| Поставщик Упаковка устройства: | TO-220NIS |
| Серии: | - |
| Мощность - Макс: | 2W |
| упаковка: | Bulk |
| Упаковка /: | TO-220-3 Full Pack |
| Другие названия: | 2SC4935-YQ(J 2SC4935YQJ |
| Рабочая Температура: | 150°C (TJ) |
| Тип установки: | Through Hole |
| Уровень чувствительности влаги (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Частота - Переход: | 80MHz |
| Подробное описание: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 3A 80MHz 2W Through Hole TO-220NIS |
| DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce: | 70 @ 500mA, 2V |
| Ток - Коллектор Граничная (Макс): | 1µA (ICBO) |
| Ток - коллектор (Ic) (Макс): | 3A |
| Email: | info@atechelec.com |
Вводить
Мы можем предоставить 2SC4935-Y,Q(J, использовать форму цитаты запроса, чтобы запросить 2SC4935-Y,Q(J PIRCE и время выполнения заказа.Atech Electronics Профессиональный дистрибьютор электронных компонентов.С 3+ миллионами линейных элементов доступных электронных компонентов может быть доставлена в короткие сроки, а более 250 тысяч деталей в складе на складе для немедленной доставки, что может включать номер детали 2SC4935-Y,Q(J. Цена и время за выполнение 2SC4935-Y,Q(J в зависимости от количестваТребуется, доступность и склад
