2SD2118TLQ
LAPIS Semiconductor
Изображения приведены только для справки.
См. Спецификации продукта для информации о продукте.
Купить 2SD2118TLQ с уверенностью от AtechElec.com, 1 год гарантии
См. Спецификации продукта для информации о продукте.
Купить 2SD2118TLQ с уверенностью от AtechElec.com, 1 год гарантии
Запрос цитаты
| Часть № | 2SD2118TLQ |
|---|---|
| производитель | LAPIS Semiconductor |
| Описание | TRANS NPN 20V 5A SOT-428 |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Без свинца / Соответствует RoHS |
| Ссылка Цена (в долларах США) | Получение предложения | ||||
Спецификация
Техническая спецификация
| Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс): | 20V |
|---|---|
| Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic: | 1V @ 100mA, 4A |
| Тип транзистор: | NPN |
| Поставщик Упаковка устройства: | CPT3 |
| Серии: | - |
| Мощность - Макс: | 10W |
| упаковка: | Original-Reel® |
| Упаковка /: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Другие названия: | 2SD2118TLQDKR |
| Рабочая Температура: | 150°C (TJ) |
| Тип установки: | Surface Mount |
| Уровень чувствительности влаги (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Частота - Переход: | 150MHz |
| Подробное описание: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 20V 5A 150MHz 10W Surface Mount CPT3 |
| DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce: | 120 @ 500mA, 2V |
| Ток - Коллектор Граничная (Макс): | 500nA (ICBO) |
| Ток - коллектор (Ic) (Макс): | 5A |
| Номер базового номера: | 2SD2118 |
| Email: | info@atechelec.com |
Вводить
Мы можем предоставить 2SD2118TLQ, использовать форму цитаты запроса, чтобы запросить 2SD2118TLQ PIRCE и время выполнения заказа.Atech Electronics Профессиональный дистрибьютор электронных компонентов.С 3+ миллионами линейных элементов доступных электронных компонентов может быть доставлена в короткие сроки, а более 250 тысяч деталей в складе на складе для немедленной доставки, что может включать номер детали 2SD2118TLQ. Цена и время за выполнение 2SD2118TLQ в зависимости от количестваТребуется, доступность и склад
