70V658S12DRI
IDT (Integrated Device Technology)
Изображения приведены только для справки.
См. Спецификации продукта для информации о продукте.
Купить 70V658S12DRI с уверенностью от AtechElec.com, 1 год гарантии
См. Спецификации продукта для информации о продукте.
Купить 70V658S12DRI с уверенностью от AtechElec.com, 1 год гарантии
Запрос цитаты
| Часть № | 70V658S12DRI |
|---|---|
| производитель | IDT (Integrated Device Technology) |
| Описание | IC SRAM 2M PARALLEL 208PQFP |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Содержит несоответствие свинца / RoHS |
| Ссылка Цена (в долларах США) | Получение предложения | ||||
Спецификация
Техническая спецификация
| Время цикла записи - слово, страница: | 12ns |
|---|---|
| Напряжение тока - поставка: | 3.15 V ~ 3.45 V |
| Технологии: | SRAM - Dual Port, Asynchronous |
| Поставщик Упаковка устройства: | 208-PQFP (28x28) |
| Серии: | - |
| упаковка: | Tray |
| Упаковка /: | 208-BFQFP |
| Другие названия: | IDT70V658S12DRI IDT70V658S12DRI-ND |
| Рабочая Температура: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Тип установки: | Surface Mount |
| Уровень чувствительности влаги (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Тип памяти: | Volatile |
| Размер памяти: | 2Mb (64K x 36) |
| Интерфейс памяти: | Parallel |
| Формат памяти: | SRAM |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Подробное описание: | SRAM - Dual Port, Asynchronous Memory IC 2Mb (64K x 36) Parallel 12ns 208-PQFP (28x28) |
| Номер базового номера: | IDT70V658 |
| Время доступа: | 12ns |
| Email: | info@atechelec.com |
Вводить
Мы можем предоставить 70V658S12DRI, использовать форму цитаты запроса, чтобы запросить 70V658S12DRI PIRCE и время выполнения заказа.Atech Electronics Профессиональный дистрибьютор электронных компонентов.С 3+ миллионами линейных элементов доступных электронных компонентов может быть доставлена в короткие сроки, а более 250 тысяч деталей в складе на складе для немедленной доставки, что может включать номер детали 70V658S12DRI. Цена и время за выполнение 70V658S12DRI в зависимости от количестваТребуется, доступность и склад
