70V659S10DRG
IDT (Integrated Device Technology)
Изображения приведены только для справки.
См. Спецификации продукта для информации о продукте.
Купить 70V659S10DRG с уверенностью от AtechElec.com, 1 год гарантии
См. Спецификации продукта для информации о продукте.
Купить 70V659S10DRG с уверенностью от AtechElec.com, 1 год гарантии
Запрос цитаты
| Часть № | 70V659S10DRG |
|---|---|
| производитель | IDT (Integrated Device Technology) |
| Описание | IC SRAM 4.5M PARALLEL 208PQFP |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Без свинца / Соответствует RoHS |
| Ссылка Цена (в долларах США) | 12 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $135.463 | |||||
Спецификация
Техническая спецификация
| Время цикла записи - слово, страница: | 10ns |
|---|---|
| Напряжение тока - поставка: | 3.15 V ~ 3.45 V |
| Технологии: | SRAM - Dual Port, Asynchronous |
| Поставщик Упаковка устройства: | 208-PQFP (28x28) |
| Серии: | - |
| упаковка: | Tray |
| Упаковка /: | 208-BFQFP |
| Рабочая Температура: | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Тип установки: | Surface Mount |
| Уровень чувствительности влаги (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Тип памяти: | Volatile |
| Размер памяти: | 4.5Mb (128K x 36) |
| Интерфейс памяти: | Parallel |
| Формат памяти: | SRAM |
| Стандартное время изготовления: | 10 Weeks |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Подробное описание: | SRAM - Dual Port, Asynchronous Memory IC 4.5Mb (128K x 36) Parallel 10ns 208-PQFP (28x28) |
| Время доступа: | 10ns |
| Email: | info@atechelec.com |
Вводить
Мы можем предоставить 70V659S10DRG, использовать форму цитаты запроса, чтобы запросить 70V659S10DRG PIRCE и время выполнения заказа.Atech Electronics Профессиональный дистрибьютор электронных компонентов.С 3+ миллионами линейных элементов доступных электронных компонентов может быть доставлена в короткие сроки, а более 250 тысяч деталей в складе на складе для немедленной доставки, что может включать номер детали 70V659S10DRG. Цена и время за выполнение 70V659S10DRG в зависимости от количестваТребуется, доступность и склад
