8EWS12S
Electro-Films (EFI) / Vishay
Изображения приведены только для справки.
См. Спецификации продукта для информации о продукте.
Купить 8EWS12S с уверенностью от AtechElec.com, 1 год гарантии
См. Спецификации продукта для информации о продукте.
Купить 8EWS12S с уверенностью от AtechElec.com, 1 год гарантии
Запрос цитаты
| Часть № | 8EWS12S |
|---|---|
| производитель | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Описание | DIODE GEN PURP 1.2KV 8A DPAK |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Содержит несоответствие свинца / RoHS |
| Ссылка Цена (в долларах США) | Получение предложения | ||||
Спецификация
Техническая спецификация
| Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если: | 1.1V @ 8A |
|---|---|
| Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс): | 1200V |
| Поставщик Упаковка устройства: | D-Pak |
| скорость: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Серии: | - |
| упаковка: | Tube |
| Упаковка /: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Другие названия: | *8EWS12S VS-8EWS12S VS-8EWS12S-ND VS8EWS12S VS8EWS12S-ND |
| Рабочая температура - Соединение: | -55°C ~ 150°C |
| Тип установки: | Surface Mount |
| Уровень чувствительности влаги (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Диод Тип: | Standard |
| Подробное описание: | Diode Standard 1200V 8A Surface Mount D-Pak |
| Ток - Обратный утечки @ Vr: | 50µA @ 1200V |
| Текущий - средний выпрямленный (Io): | 8A |
| Емкостной @ В.Р., F: | - |
| Номер базового номера: | 8EWS12 |
| Email: | info@atechelec.com |
Вводить
Мы можем предоставить 8EWS12S, использовать форму цитаты запроса, чтобы запросить 8EWS12S PIRCE и время выполнения заказа.Atech Electronics Профессиональный дистрибьютор электронных компонентов.С 3+ миллионами линейных элементов доступных электронных компонентов может быть доставлена в короткие сроки, а более 250 тысяч деталей в складе на складе для немедленной доставки, что может включать номер детали 8EWS12S. Цена и время за выполнение 8EWS12S в зависимости от количестваТребуется, доступность и склад
