AOC3868
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Изображения приведены только для справки.
См. Спецификации продукта для информации о продукте.
Купить AOC3868 с уверенностью от AtechElec.com, 1 год гарантии
См. Спецификации продукта для информации о продукте.
Купить AOC3868 с уверенностью от AtechElec.com, 1 год гарантии
Запрос цитаты
| Часть № | AOC3868 |
|---|---|
| производитель | Alpha and Omega Semiconductor, Inc. |
| Описание | MOSFET 2 N-CHANNEL 6DFN |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Без свинца / Соответствует RoHS |
| Ссылка Цена (в долларах США) | 5000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.281 | |||||
Спецификация
Техническая спецификация
| Vgs (й) (Max) @ Id: | 1.1V @ 250µA |
|---|---|
| Поставщик Упаковка устройства: | 6-DFN (2.7x1.8) |
| Серии: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | - |
| Мощность - Макс: | 2.5W |
| Упаковка /: | 6-XDFN |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип установки: | Surface Mount |
| Уровень чувствительности влаги (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Стандартное время изготовления: | 26 Weeks |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds: | - |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs: | 50nC @ 4.5V |
| Тип FET: | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| FET Характеристика: | Standard |
| Слить к источнику напряжения (VDSS): | - |
| Подробное описание: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 2.5W Surface Mount 6-DFN (2.7x1.8) |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C: | - |
| Email: | info@atechelec.com |
Вводить
Мы можем предоставить AOC3868, использовать форму цитаты запроса, чтобы запросить AOC3868 PIRCE и время выполнения заказа.Atech Electronics Профессиональный дистрибьютор электронных компонентов.С 3+ миллионами линейных элементов доступных электронных компонентов может быть доставлена в короткие сроки, а более 250 тысяч деталей в складе на складе для немедленной доставки, что может включать номер детали AOC3868. Цена и время за выполнение AOC3868 в зависимости от количестваТребуется, доступность и склад
