APT150GT120JR
Microsemi
Изображения приведены только для справки.
См. Спецификации продукта для информации о продукте.
Купить APT150GT120JR с уверенностью от AtechElec.com, 1 год гарантии
См. Спецификации продукта для информации о продукте.
Купить APT150GT120JR с уверенностью от AtechElec.com, 1 год гарантии
Запрос цитаты
| Часть № | APT150GT120JR |
|---|---|
| производитель | Microsemi |
| Описание | IGBT 1200V 170A 830W SOT227 |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Без свинца / Соответствует RoHS |
| Ссылка Цена (в долларах США) | 1 pcs | 10 pcs | 30 pcs | 100 pcs | |
|---|---|---|---|---|---|
| $53.78 | $50.291 | $46.512 | $43.605 | ||
Спецификация
Техническая спецификация
| Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс): | 1200V |
|---|---|
| Vce (на) (Max) @ VGE, Ic: | 3.7V @ 15V, 150A |
| Поставщик Упаковка устройства: | ISOTOP® |
| Серии: | Thunderbolt IGBT® |
| Мощность - Макс: | 830W |
| Упаковка /: | ISOTOP |
| Другие названия: | APT150GT120JRMI APT150GT120JRMI-ND |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| NTC термистора: | No |
| Тип установки: | Chassis Mount |
| Уровень чувствительности влаги (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Стандартное время изготовления: | 18 Weeks |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Входная емкость (Cies) @ Vce: | 9.3nF @ 25V |
| вход: | Standard |
| Тип IGBT: | NPT |
| Подробное описание: | IGBT Module NPT Single 1200V 170A 830W Chassis Mount ISOTOP® |
| Ток - Коллектор Граничная (Макс): | 150µA |
| Ток - коллектор (Ic) (Макс): | 170A |
| конфигурация: | Single |
| Email: | info@atechelec.com |
Вводить
Мы можем предоставить APT150GT120JR, использовать форму цитаты запроса, чтобы запросить APT150GT120JR PIRCE и время выполнения заказа.Atech Electronics Профессиональный дистрибьютор электронных компонентов.С 3+ миллионами линейных элементов доступных электронных компонентов может быть доставлена в короткие сроки, а более 250 тысяч деталей в складе на складе для немедленной доставки, что может включать номер детали APT150GT120JR. Цена и время за выполнение APT150GT120JR в зависимости от количестваТребуется, доступность и склад
Связанные части для APT150GT120JR
| Фото | Тип продуктов | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
APT150GN60B2G | Microsemi | IGBT 600V 220A 536W SOT227 | запрос |
 |
APT150GN120J | Microsemi | IGBT 1200V 215A 625W SOT227 | запрос |
 |
APT15D120BG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1.2KV 15A TO247 | запрос |
|
APT15D100BG | Microchip | DIODE GEN PURP 1KV 15A TO247 | запрос |
 |
APT14M100B | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247 | запрос |
 |
APT14M100S | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK | запрос |
|
APT14M120B | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 14A TO-247 | запрос |
 |
APT15D100KG | Microchip | DIODE GEN PURP 1KV 15A TO220 | запрос |
|
APT15D100BHBG | Microchip | DIODE ARRAY GP 1000V 15A TO247 | запрос |
|
APT150GN60J | Microsemi | IGBT 600V 220A 536W SOT227 | запрос |
|
APT15D40BCTG | Microchip | DIODE ARRAY GP 400V 15A TO247 | запрос |
 |
APT15D120KG | Microsemi | DIODE GEN PURP 1.2KV 15A TO220 | запрос |
|
APT150GN60JDQ4 | Microchip | IGBT 600V 220A 536W SOT227 | запрос |
 |
APT150GN120JDQ4 | Microsemi | IGBT 1200V 215A 625W SOT227 | запрос |
|
APT15D120BCTG | Microsemi | DIODE ARRAY GP 1200V 15A TO247 | запрос |
|
APT15D100BCTG | Microsemi | DIODE ARRAY GP 1000V 15A TO247 | запрос |
 |
APT15D30KG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 300V 15A TO220-2 | запрос |
 |
APT14F100S | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK | запрос |
|
APT15D40KG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 15A TO220-2 | запрос |
 |
APT150GN60LDQ4G | Microsemi | IGBT 600V 220A 536W TO-264L | запрос |