Свяжитесь с Atech Electronics Email: Info@atechelec.com | Онлайн - запрос
русский
English русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > APT18M80B

APT18M80B

Microsemi

APT18M80B
Изображения приведены только для справки.
См. Спецификации продукта для информации о продукте.
Купить APT18M80B с уверенностью от AtechElec.com, 1 год гарантии

Запрос цитаты

Часть № APT18M80B
производитель Microsemi
Описание MOSFET N-CH 800V 19A TO-247
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS Без свинца / Соответствует RoHS
Быть в наличии 25 pcs
Ссылка Цена
(в долларах США)		1 pcs30 pcs120 pcs510 pcs
$10.06$8.248$7.443$6.236
Отправьте запрос для предложения о величинах, превышающих отображаемые.
Проходная цена:(USD)
Количество:
Всего:
$10.06

Спецификация

Техническая спецификация

Vgs (й) (Max) @ Id:5V @ 1mA
Vgs (макс.):±30V
Технологии:MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства:TO-247 [B]
Серии:POWER MOS 8™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:530 mOhm @ 9A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс):500W (Tc)
упаковка:Tube
Упаковка /:TO-247-3
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки:Through Hole
Уровень чувствительности влаги (MSL):1 (Unlimited)
Стандартное время изготовления:8 Weeks
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds:3760pF @ 25V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs:120nC @ 10V
Тип FET:N-Channel
FET Характеристика:-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On):10V
Слить к источнику напряжения (VDSS):800V
Подробное описание:N-Channel 800V 19A (Tc) 500W (Tc) Through Hole TO-247 [B]
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C:19A (Tc)
Email:info@atechelec.com

Вводить

Мы можем предоставить APT18M80B, использовать форму цитаты запроса, чтобы запросить APT18M80B PIRCE и время выполнения заказа.Atech Electronics Профессиональный дистрибьютор электронных компонентов.С 3+ миллионами линейных элементов доступных электронных компонентов может быть доставлена в короткие сроки, а более 250 тысяч деталей в складе на складе для немедленной доставки, что может включать номер детали APT18M80B. Цена и время за выполнение APT18M80B в зависимости от количестваТребуется, доступность и склад

Связанные части для APT18M80B

Фото Тип продуктов Производители Описание Посмотреть
APT17F120J Image APT17F120J Microsemi MOSFET N-CH 1200V 18A SOT-227 запрос
APT18M100B Image APT18M100B Microsemi MOSFET N-CH 1000V 18A TO-247 запрос
APT17F100S Image APT17F100S Microsemi MOSFET N-CH 1000V 17A D3PAK запрос
APT200GN60JDQ4 Image APT200GN60JDQ4 Microsemi IGBT 600V 283A 682W SOT227 запрос
APT17NTR-G1 Image APT17NTR-G1 Diodes Incorporated TRANS NPN 480V SOT23 запрос
APT2 Microchip запрос
APT18F60B Image APT18F60B Microsemi MOSFET N-CH 600V 18A TO-247 запрос
APT200GN60JDQ4G Image APT200GN60JDQ4G Microsemi IGBT 600V 283A 682W SOT227 запрос
APT17F80B Image APT17F80B Microsemi MOSFET N-CH 800V 18A TO-247 запрос
APT17N80BC3G Image APT17N80BC3G Microsemi MOSFET N-CH 800V 17A TO-247 запрос
APT17F80S Image APT17F80S Microsemi MOSFET N-CH 800V 18A D3PAK запрос
APT200GN60JG Image APT200GN60JG Microsemi IGBT 600V 283A 682W SOT227 запрос
APT19M120J Image APT19M120J Microsemi MOSFET N-CH 1200V 19A SOT-227 запрос
APT17N80SC3G Image APT17N80SC3G Microsemi MOSFET N-CH 800V 17A D3PAK запрос
APT200GT60JR Image APT200GT60JR Microsemi IGBT 600V 195A ISOTOP запрос
APT200GN60B2G Image APT200GN60B2G Microsemi IGBT 600V 283A 682W TO247 запрос
APT18M80S Image APT18M80S Microsemi MOSFET N-CH 800V 19A D3PAK запрос
APT200GN60J Image APT200GN60J Microsemi IGBT 600V 283A 682W SOT227 запрос
APT18F60S Image APT18F60S Microsemi MOSFET N-CH 600V 19A D3PAK запрос
APT19F100J Image APT19F100J Microsemi MOSFET N-CH 1000V 20A SOT-227 запрос