Свяжитесь с Atech Electronics Email: Info@atechelec.com | Онлайн - запрос
русский
English русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > APT60N60BCSG

APT60N60BCSG

Microsemi

APT60N60BCSG
Изображения приведены только для справки.
См. Спецификации продукта для информации о продукте.
Купить APT60N60BCSG с уверенностью от AtechElec.com, 1 год гарантии

Запрос цитаты

Часть № APT60N60BCSG
производитель Microsemi
Описание MOSFET N-CH 600V 60A TO-247
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS Без свинца / Соответствует RoHS
Быть в наличии 938 pcs
Ссылка Цена
(в долларах США)		1 pcs30 pcs120 pcs
$24.75$20.811$19.123
Отправьте запрос для предложения о величинах, превышающих отображаемые.
Проходная цена:(USD)
Количество:
Всего:
$24.75

Спецификация

Техническая спецификация

Vgs (й) (Max) @ Id:3.9V @ 3mA
Vgs (макс.):±30V
Технологии:MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства:TO-247 [B]
Серии:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:45 mOhm @ 44A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс):431W (Tc)
упаковка:Tube
Упаковка /:TO-247-3
Другие названия:APT60N60BCSGMI
APT60N60BCSGMI-ND
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки:Through Hole
Уровень чувствительности влаги (MSL):1 (Unlimited)
Стандартное время изготовления:18 Weeks
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds:7200pF @ 25V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs:190nC @ 10V
Тип FET:N-Channel
FET Характеристика:-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On):10V
Слить к источнику напряжения (VDSS):600V
Подробное описание:N-Channel 600V 60A (Tc) 431W (Tc) Through Hole TO-247 [B]
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C:60A (Tc)
Email:info@atechelec.com

Вводить

Мы можем предоставить APT60N60BCSG, использовать форму цитаты запроса, чтобы запросить APT60N60BCSG PIRCE и время выполнения заказа.Atech Electronics Профессиональный дистрибьютор электронных компонентов.С 3+ миллионами линейных элементов доступных электронных компонентов может быть доставлена в короткие сроки, а более 250 тысяч деталей в складе на складе для немедленной доставки, что может включать номер детали APT60N60BCSG. Цена и время за выполнение APT60N60BCSG в зависимости от количестваТребуется, доступность и склад

Связанные части для APT60N60BCSG

Фото Тип продуктов Производители Описание Посмотреть
APT60S20B2CTG Image APT60S20B2CTG Microsemi DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TMAX запрос
APT60M60JLL Image APT60M60JLL Microsemi MOSFET N-CH 600V 70A SOT-227 запрос
APT65GP60B2G Image APT65GP60B2G Microsemi IGBT 600V 100A 833W TMAX запрос
APT64GA90B2D30 Image APT64GA90B2D30 Microsemi IGBT 900V 117A 500W TO-247 запрос
APT60M75JVFR Image APT60M75JVFR Microsemi MOSFET N-CH 600V 62A SOT-227 запрос
APT60S20SG Image APT60S20SG Microsemi Corporation DIODE SCHOTTKY 200V 75A D3 запрос
APT64GA90B Image APT64GA90B Microsemi IGBT 900V 117A 500W TO247 запрос
APT60N60SCSG/TR Image APT60N60SCSG/TR Microsemi MOSFET N-CH 600V 60A D3PAK запрос
APT60M80JVR Image APT60M80JVR Microsemi MOSFET N-CH 600V 55A SOT-227 запрос
APT60S20SG/TR Image APT60S20SG/TR Microsemi Corporation DIODE SCHOTTKY 200V 75A D3PAK запрос
APT60M75L2LLG Image APT60M75L2LLG Microsemi MOSFET N-CH 600V 73A TO-264MAX запрос
APT60N60SCSG Image APT60N60SCSG Microsemi MOSFET N-CH 600V 60A D3PAK запрос
APT60M75JFLL Image APT60M75JFLL Microsemi MOSFET N-CH 600V 58A SOT-227 запрос
APT60S20BG Image APT60S20BG Microsemi DIODE SCHOTTKY 200V 75A TO247 запрос
APT64GA90LD30 Image APT64GA90LD30 Microsemi IGBT 900V 117A 500W TO-264 запрос
APT60M75JLL Image APT60M75JLL Microsemi MOSFET N-CH 600V 58A SOT-227 запрос
APT60M60JFLL Image APT60M60JFLL Microsemi MOSFET N-CH 600V 70A SOT-227 запрос
APT60M75L2FLLG Image APT60M75L2FLLG Microsemi MOSFET N-CH 600V 73A TO-264MAX запрос
APT60M80L2VRG Image APT60M80L2VRG Microsemi MOSFET N-CH 600V 65A TO-264MAX запрос
APT60M75JVR Image APT60M75JVR Microsemi MOSFET N-CH 600V 62A SOT-227 запрос