APT6M100K
Microsemi
Изображения приведены только для справки.
См. Спецификации продукта для информации о продукте.
Купить APT6M100K с уверенностью от AtechElec.com, 1 год гарантии
См. Спецификации продукта для информации о продукте.
Купить APT6M100K с уверенностью от AtechElec.com, 1 год гарантии
Запрос цитаты
| Часть № | APT6M100K |
|---|---|
| производитель | Microsemi |
| Описание | MOSFET N-CH 1000V 6A TO-220 |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Без свинца / Соответствует RoHS |
| Ссылка Цена (в долларах США) | Получение предложения | ||||
Спецификация
Техническая спецификация
| Vgs (й) (Max) @ Id: | 5V @ 1mA |
|---|---|
| Vgs (макс.): | ±30V |
| Технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства: | TO-220 [K] |
| Серии: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 2.5 Ohm @ 3A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс): | 225W (Tc) |
| упаковка: | Tube |
| Упаковка /: | TO-220-3 |
| Другие названия: | APT6M100KMI APT6M100KMI-ND |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип установки: | Through Hole |
| Уровень чувствительности влаги (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds: | 1410pF @ 25V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs: | 43nC @ 10V |
| Тип FET: | N-Channel |
| FET Характеристика: | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS): | 1000V |
| Подробное описание: | N-Channel 1000V 6A (Tc) 225W (Tc) Through Hole TO-220 [K] |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C: | 6A (Tc) |
| Email: | info@atechelec.com |
Вводить
Мы можем предоставить APT6M100K, использовать форму цитаты запроса, чтобы запросить APT6M100K PIRCE и время выполнения заказа.Atech Electronics Профессиональный дистрибьютор электронных компонентов.С 3+ миллионами линейных элементов доступных электронных компонентов может быть доставлена в короткие сроки, а более 250 тысяч деталей в складе на складе для немедленной доставки, что может включать номер детали APT6M100K. Цена и время за выполнение APT6M100K в зависимости от количестваТребуется, доступность и склад
Связанные части для APT6M100K
| Фото | Тип продуктов | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
APT68GA60B2D40 | Microsemi | IGBT 600V 121A 520W TO-247 | запрос |
 |
APT70SM70J | Microsemi | POWER MOSFET - SIC | запрос |
|
APT70GR65B2SCD30 | Microsemi | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | запрос |
 |
APT70SM70S | Microchip | POWER MOSFET - SIC | запрос |
 |
APT70GR120L | Microsemi | IGBT 1200V 160A 961W TO264 | запрос |
|
APT70GR65B2DU40 | Microsemi | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | запрос |
|
APT68GA60LD40 | Microsemi | IGBT 600V 121A 520W TO-264 | запрос |
|
APT65GP60B2G | Microsemi | IGBT 600V 100A 833W TMAX | запрос |
|
APT66M60L | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 70A TO-264 | запрос |
|
APT66F60B2 | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 70A TO-247 | запрос |
 |
APT68GA60B | Microsemi | IGBT 600V 121A 520W TO-247 | запрос |
|
APT65GP60L2DQ2G | Microsemi | IGBT 600V 198A 833W TO264 | запрос |
|
APT70SM70B | Microsemi | POWER MOSFET - SIC | запрос |
|
APT66F60L | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 70A TO-264 | запрос |
|
APT70GR65B | Microsemi | IGBT 650V 134A 595W TO-247 | запрос |
 |
APT70GR120J | Microsemi | IGBT 1200V 112A 543W SOT227 | запрос |
|
APT66M60B2 | Microchip | MOSFET N-CH 600V 66A T-MAX | запрос |
|
APT70GR120JD60 | Microsemi | IGBT 1200V 112A 543W SOT227 | запрос |
|
APT70GR120B2 | Microsemi | IGBT 1200V 160A 961W TO247 | запрос |
 |
APT65GP60J | Microsemi | IGBT 600V 130A 431W SOT227 | запрос |