AS4C32M16MSA-6BINTR
Alliance Memory, Inc.
Изображения приведены только для справки.
См. Спецификации продукта для информации о продукте.
Купить AS4C32M16MSA-6BINTR с уверенностью от AtechElec.com, 1 год гарантии
См. Спецификации продукта для информации о продукте.
Купить AS4C32M16MSA-6BINTR с уверенностью от AtechElec.com, 1 год гарантии
Запрос цитаты
| Часть № | AS4C32M16MSA-6BINTR |
|---|---|
| производитель | Alliance Memory, Inc. |
| Описание | IC DRAM 512M PARALLEL 54FBGA |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Без свинца / Соответствует RoHS |
| Ссылка Цена (в долларах США) | 1000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $4.394 | |||||
Спецификация
Техническая спецификация
| Напряжение тока - поставка: | 1.7 V ~ 1.95 V |
|---|---|
| Технологии: | SDRAM - Mobile SDRAM |
| Поставщик Упаковка устройства: | 54-FBGA (8x8) |
| Серии: | - |
| упаковка: | Tape & Reel (TR) |
| Упаковка /: | 54-VFBGA |
| Рабочая Температура: | -40°C ~ 85°C (TJ) |
| Тип установки: | Surface Mount |
| Уровень чувствительности влаги (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Тип памяти: | Volatile |
| Размер памяти: | 512Mb (32M x 16) |
| Интерфейс памяти: | Parallel |
| Формат памяти: | DRAM |
| Стандартное время изготовления: | 8 Weeks |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Подробное описание: | SDRAM - Mobile SDRAM Memory IC 512Mb (32M x 16) Parallel 166MHz 5.5ns 54-FBGA (8x8) |
| Тактовая частота: | 166MHz |
| Время доступа: | 5.5ns |
| Email: | info@atechelec.com |
Вводить
Мы можем предоставить AS4C32M16MSA-6BINTR, использовать форму цитаты запроса, чтобы запросить AS4C32M16MSA-6BINTR PIRCE и время выполнения заказа.Atech Electronics Профессиональный дистрибьютор электронных компонентов.С 3+ миллионами линейных элементов доступных электронных компонентов может быть доставлена в короткие сроки, а более 250 тысяч деталей в складе на складе для немедленной доставки, что может включать номер детали AS4C32M16MSA-6BINTR. Цена и время за выполнение AS4C32M16MSA-6BINTR в зависимости от количестваТребуется, доступность и склад
