AS6C3216-55BIN
Alliance Memory, Inc.
Изображения приведены только для справки.
См. Спецификации продукта для информации о продукте.
Купить AS6C3216-55BIN с уверенностью от AtechElec.com, 1 год гарантии
См. Спецификации продукта для информации о продукте.
Купить AS6C3216-55BIN с уверенностью от AtechElec.com, 1 год гарантии
Запрос цитаты
| Часть № | AS6C3216-55BIN |
|---|---|
| производитель | Alliance Memory, Inc. |
| Описание | IC SRAM 32M PARALLEL 48TFBGA |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Без свинца / Соответствует RoHS |
| Ссылка Цена (в долларах США) | 480 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $16.897 | |||||
Спецификация
Техническая спецификация
| Время цикла записи - слово, страница: | 55ns |
|---|---|
| Напряжение тока - поставка: | 2.7 V ~ 3.6 V |
| Технологии: | SRAM - Asynchronous |
| Поставщик Упаковка устройства: | 48-TFBGA (8x10) |
| Серии: | - |
| упаковка: | Tray |
| Упаковка /: | 48-LFBGA |
| Другие названия: | 1450-1176 AS6C3216-55BIN-ND |
| Рабочая Температура: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Тип установки: | Surface Mount |
| Уровень чувствительности влаги (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Тип памяти: | Volatile |
| Размер памяти: | 32Mb (2M x 16) |
| Интерфейс памяти: | Parallel |
| Формат памяти: | SRAM |
| Стандартное время изготовления: | 8 Weeks |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Подробное описание: | SRAM - Asynchronous Memory IC 32Mb (2M x 16) Parallel 55ns 48-TFBGA (8x10) |
| Время доступа: | 55ns |
| Email: | info@atechelec.com |
Вводить
Мы можем предоставить AS6C3216-55BIN, использовать форму цитаты запроса, чтобы запросить AS6C3216-55BIN PIRCE и время выполнения заказа.Atech Electronics Профессиональный дистрибьютор электронных компонентов.С 3+ миллионами линейных элементов доступных электронных компонентов может быть доставлена в короткие сроки, а более 250 тысяч деталей в складе на складе для немедленной доставки, что может включать номер детали AS6C3216-55BIN. Цена и время за выполнение AS6C3216-55BIN в зависимости от количестваТребуется, доступность и склад
