BAY80-TAP
Vishay / Semiconductor - Diodes Division
Изображения приведены только для справки.
См. Спецификации продукта для информации о продукте.
Купить BAY80-TAP с уверенностью от AtechElec.com, 1 год гарантии
См. Спецификации продукта для информации о продукте.
Купить BAY80-TAP с уверенностью от AtechElec.com, 1 год гарантии
Запрос цитаты
| Часть № | BAY80-TAP |
|---|---|
| производитель | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Описание | DIODE GEN PURP 120V 250MA DO35 |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Без свинца / Соответствует RoHS |
| Ссылка Цена (в долларах США) | Получение предложения | ||||
Спецификация
Техническая спецификация
| Напряжение - Пиковое обратное (Макс): | Standard |
|---|---|
| Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если: | 250mA (DC) |
| Напряжение - Разбивка: | DO-35 |
| Серии: | Automotive, AEC-Q101 |
| Статус RoHS: | Tape & Box (TB) |
| Обратное время восстановления (ТИР): | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Сопротивление @ Если, F: | 5pF @ 0V, 1MHz |
| поляризация: | DO-204AH, DO-35, Axial |
| Рабочая температура - Соединение: | 50ns |
| Тип установки: | Through Hole |
| Уровень влажности (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Номер детали производителя: | BAY80-TAP |
| Расширенное описание: | Diode Standard 120V 250mA (DC) Through Hole DO-35 |
| Диод Конфигурация: | 100nA @ 120V |
| Описание: | DIODE GEN PURP 120V 250MA DO35 |
| Ток - Обратный утечки @ Vr: | 1.07V @ 150mA |
| Текущий - средний выпрямленный (Io) (за Diode): | 120V |
| Емкостной @ В.Р., F: | 175°C (Max) |
| Email: | info@atechelec.com |
Вводить
Мы можем предоставить BAY80-TAP, использовать форму цитаты запроса, чтобы запросить BAY80-TAP PIRCE и время выполнения заказа.Atech Electronics Профессиональный дистрибьютор электронных компонентов.С 3+ миллионами линейных элементов доступных электронных компонентов может быть доставлена в короткие сроки, а более 250 тысяч деталей в складе на складе для немедленной доставки, что может включать номер детали BAY80-TAP. Цена и время за выполнение BAY80-TAP в зависимости от количестваТребуется, доступность и склад
