BC488BRL1
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Изображения приведены только для справки.
См. Спецификации продукта для информации о продукте.
Купить BC488BRL1 с уверенностью от AtechElec.com, 1 год гарантии
См. Спецификации продукта для информации о продукте.
Купить BC488BRL1 с уверенностью от AtechElec.com, 1 год гарантии
Запрос цитаты
| Часть № | BC488BRL1 |
|---|---|
| производитель | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Описание | TRANS PNP 60V 1A TO-92 |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Содержит несоответствие свинца / RoHS |
| Ссылка Цена (в долларах США) | Получение предложения | ||||
Спецификация
Техническая спецификация
| Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс): | 60V |
|---|---|
| Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic: | 500mV @ 100mA, 1A |
| Тип транзистор: | PNP |
| Поставщик Упаковка устройства: | TO-92-3 |
| Серии: | - |
| Мощность - Макс: | 625mW |
| упаковка: | Tape & Reel (TR) |
| Упаковка /: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип установки: | Through Hole |
| Уровень чувствительности влаги (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Частота - Переход: | 150MHz |
| Подробное описание: | Bipolar (BJT) Transistor PNP 60V 1A 150MHz 625mW Through Hole TO-92-3 |
| DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce: | 160 @ 100mA, 2V |
| Ток - Коллектор Граничная (Макс): | 100nA (ICBO) |
| Ток - коллектор (Ic) (Макс): | 1A |
| Email: | info@atechelec.com |
Вводить
Мы можем предоставить BC488BRL1, использовать форму цитаты запроса, чтобы запросить BC488BRL1 PIRCE и время выполнения заказа.Atech Electronics Профессиональный дистрибьютор электронных компонентов.С 3+ миллионами линейных элементов доступных электронных компонентов может быть доставлена в короткие сроки, а более 250 тысяч деталей в складе на складе для немедленной доставки, что может включать номер детали BC488BRL1. Цена и время за выполнение BC488BRL1 в зависимости от количестваТребуется, доступность и склад
