BSP52T3
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Изображения приведены только для справки.
См. Спецификации продукта для информации о продукте.
Купить BSP52T3 с уверенностью от AtechElec.com, 1 год гарантии
См. Спецификации продукта для информации о продукте.
Купить BSP52T3 с уверенностью от AtechElec.com, 1 год гарантии
Запрос цитаты
| Часть № | BSP52T3 |
|---|---|
| производитель | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Описание | TRANS NPN DARL 80V 1A SOT-223 |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Содержит несоответствие свинца / RoHS |
| Ссылка Цена (в долларах США) | Получение предложения | ||||
Спецификация
Техническая спецификация
| Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс): | 80V |
|---|---|
| Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic: | 1.3V @ 500µA, 500mA |
| Тип транзистор: | NPN - Darlington |
| Поставщик Упаковка устройства: | SOT-223 |
| Серии: | - |
| Мощность - Макс: | 800mW |
| упаковка: | Tape & Reel (TR) |
| Упаковка /: | TO-261-4, TO-261AA |
| Рабочая Температура: | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип установки: | Surface Mount |
| Уровень чувствительности влаги (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Частота - Переход: | - |
| Подробное описание: | Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 80V 1A 800mW Surface Mount SOT-223 |
| DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce: | 2000 @ 500mA, 10V |
| Ток - Коллектор Граничная (Макс): | 10µA |
| Ток - коллектор (Ic) (Макс): | 1A |
| Номер базового номера: | BSP52 |
| Email: | info@atechelec.com |
Вводить
Мы можем предоставить BSP52T3, использовать форму цитаты запроса, чтобы запросить BSP52T3 PIRCE и время выполнения заказа.Atech Electronics Профессиональный дистрибьютор электронных компонентов.С 3+ миллионами линейных элементов доступных электронных компонентов может быть доставлена в короткие сроки, а более 250 тысяч деталей в складе на складе для немедленной доставки, что может включать номер детали BSP52T3. Цена и время за выполнение BSP52T3 в зависимости от количестваТребуется, доступность и склад
