CUHS10F60,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage
Изображения приведены только для справки.
См. Спецификации продукта для информации о продукте.
Купить CUHS10F60,H3F с уверенностью от AtechElec.com, 1 год гарантии
См. Спецификации продукта для информации о продукте.
Купить CUHS10F60,H3F с уверенностью от AtechElec.com, 1 год гарантии
Запрос цитаты
| Часть № | CUHS10F60,H3F |
|---|---|
| производитель | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Описание | SMALL-SIGNAL SCHOTTKY BARRIER DI |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Без свинца / Соответствует RoHS |
| Ссылка Цена (в долларах США) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.53 | $0.38 | $0.224 | $0.127 | $0.097 | |
Спецификация
Техническая спецификация
| Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс): | 60V |
|---|---|
| Поставщик Упаковка устройства: | US2H |
| скорость: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Серии: | - |
| упаковка: | Cut Tape (CT) |
| Упаковка /: | 2-SMD, Flat Lead |
| Другие названия: | CUHS10F60H3FCT |
| Рабочая температура - Соединение: | 150°C (Max) |
| Тип установки: | Surface Mount |
| Уровень чувствительности влаги (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Стандартное время изготовления: | 12 Weeks |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Диод Тип: | Schottky |
| Подробное описание: | Diode Schottky 60V 1A Surface Mount US2H |
| Ток - Обратный утечки @ Vr: | 40µA @ 60V |
| Текущий - средний выпрямленный (Io): | 1A |
| Емкостной @ В.Р., F: | 130pF @ 0V, 1MHz |
| Email: | info@atechelec.com |
Вводить
Мы можем предоставить CUHS10F60,H3F, использовать форму цитаты запроса, чтобы запросить CUHS10F60,H3F PIRCE и время выполнения заказа.Atech Electronics Профессиональный дистрибьютор электронных компонентов.С 3+ миллионами линейных элементов доступных электронных компонентов может быть доставлена в короткие сроки, а более 250 тысяч деталей в складе на складе для немедленной доставки, что может включать номер детали CUHS10F60,H3F. Цена и время за выполнение CUHS10F60,H3F в зависимости от количестваТребуется, доступность и склад
