CY62126EV18LL-70BVXI
Cypress Semiconductor
Изображения приведены только для справки.
См. Спецификации продукта для информации о продукте.
Купить CY62126EV18LL-70BVXI с уверенностью от AtechElec.com, 1 год гарантии
См. Спецификации продукта для информации о продукте.
Купить CY62126EV18LL-70BVXI с уверенностью от AtechElec.com, 1 год гарантии
Запрос цитаты
| Часть № | CY62126EV18LL-70BVXI |
|---|---|
| производитель | Cypress Semiconductor |
| Описание | IC SRAM 1M PARALLEL |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Без свинца / Соответствует RoHS |
| Ссылка Цена (в долларах США) | 480 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $2.523 | |||||
Спецификация
Техническая спецификация
| Время цикла записи - слово, страница: | 70ns |
|---|---|
| Напряжение тока - поставка: | 1.65 V ~ 1.95 V |
| Технологии: | SRAM - Asynchronous |
| Поставщик Упаковка устройства: | 48-VFBGA (6x8) |
| Серии: | MoBL® |
| упаковка: | Tray |
| Упаковка /: | 48-VFBGA |
| Рабочая Температура: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Тип установки: | Surface Mount |
| Уровень чувствительности влаги (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Тип памяти: | Volatile |
| Размер памяти: | 1Mb (64K x 16) |
| Интерфейс памяти: | Parallel |
| Формат памяти: | SRAM |
| Стандартное время изготовления: | 9 Weeks |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Подробное описание: | SRAM - Asynchronous Memory IC 1Mb (64K x 16) Parallel 70ns 48-VFBGA (6x8) |
| Время доступа: | 70ns |
| Email: | info@atechelec.com |
Вводить
Мы можем предоставить CY62126EV18LL-70BVXI, использовать форму цитаты запроса, чтобы запросить CY62126EV18LL-70BVXI PIRCE и время выполнения заказа.Atech Electronics Профессиональный дистрибьютор электронных компонентов.С 3+ миллионами линейных элементов доступных электронных компонентов может быть доставлена в короткие сроки, а более 250 тысяч деталей в складе на складе для немедленной доставки, что может включать номер детали CY62126EV18LL-70BVXI. Цена и время за выполнение CY62126EV18LL-70BVXI в зависимости от количестваТребуется, доступность и склад
