Свяжитесь с Atech Electronics Email: Info@atechelec.com | Онлайн - запрос
русский
English русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > DMN90H2D2HCTI

DMN90H2D2HCTI

Diodes Incorporated

DMN90H2D2HCTI
Изображения приведены только для справки.
См. Спецификации продукта для информации о продукте.
Купить DMN90H2D2HCTI с уверенностью от AtechElec.com, 1 год гарантии

Запрос цитаты

Часть № DMN90H2D2HCTI
производитель Diodes Incorporated
Описание MOSFET N-CH 900V 6A ITO220AB
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS Содержит совместимость с RoHS / RoHS
Быть в наличии 13 pcs
Ссылка Цена
(в долларах США)		1 pcs50 pcs100 pcs500 pcs1000 pcs
$1.57$1.253$1.096$0.85$0.671
Отправьте запрос для предложения о величинах, превышающих отображаемые.
Проходная цена:(USD)
Количество:
Всего:
$1.57

Спецификация

Техническая спецификация

Vgs (й) (Max) @ Id:5V @ 250µA
Vgs (макс.):±30V
Технологии:MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства:ITO-220AB
Серии:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:2.2 Ohm @ 3A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс):40W (Tc)
упаковка:Tube
Упаковка /:TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Другие названия:DMN90H2D2HCTI-ND
DMN90H2D2HCTIDI
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки:Through Hole
Уровень чувствительности влаги (MSL):Not Applicable
Стандартное время изготовления:8 Weeks
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS:Contains lead / RoHS Compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds:1487pF @ 25V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs:20.3nC @ 10V
Тип FET:N-Channel
FET Характеристика:-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On):10V
Слить к источнику напряжения (VDSS):900V
Подробное описание:N-Channel 900V 6A (Tc) 40W (Tc) Through Hole ITO-220AB
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C:6A (Tc)
Email:info@atechelec.com

Вводить

Мы можем предоставить DMN90H2D2HCTI, использовать форму цитаты запроса, чтобы запросить DMN90H2D2HCTI PIRCE и время выполнения заказа.Atech Electronics Профессиональный дистрибьютор электронных компонентов.С 3+ миллионами линейных элементов доступных электронных компонентов может быть доставлена в короткие сроки, а более 250 тысяч деталей в складе на складе для немедленной доставки, что может включать номер детали DMN90H2D2HCTI. Цена и время за выполнение DMN90H2D2HCTI в зависимости от количестваТребуется, доступность и склад

Связанные части для DMN90H2D2HCTI

Фото Тип продуктов Производители Описание Посмотреть
DMN95H8D5HCT Diodes Incorporated MOSFET N-CH 950V 2.5A TO220AB запрос
DMN95H8D5HCTI Image DMN95H8D5HCTI Diodes Incorporated MOSFET N-CHANNEL 950V ITO220AB запрос
DMN67D8L-7 Image DMN67D8L-7 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 60V 0.21A SOT23 запрос
DMN7022LFGQ-7 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 75V 23A POWERDI3333 запрос
DMN67D8LDW-7 Image DMN67D8LDW-7 Diodes Incorporated MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363 запрос
DMN67D8LW-13 Image DMN67D8LW-13 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 60V SOT323 запрос
DMNF1-285FIB-C Panduit CONN QC RCPT 18-22AWG 0.110 запрос
DMN80H2D0SCTI Image DMN80H2D0SCTI Diodes Incorporated MOSFET N-CH 800V 7A ITO220AB запрос
DMN7022LFG-7 Image DMN7022LFG-7 Diodes Inc. MOSFET N-CH 75V 7.8A PWDI3333-8 запрос
DMNF1-285-C Panduit CONN QC RCPT 18-22AWG 0.110 запрос
DMNF1-285FIB-3K Panduit CONN QC RCPT 18-22AWG 0.110 запрос
DMN7022LFGQ-13 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 75V 23A POWERDI3333 запрос
DMN67D8LW-7 Image DMN67D8LW-7 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 60V SOT323 запрос
DMNF1-288-C Panduit CONN QC RCPT 18-22AWG 0.110 запрос
DMN7022LFG-13 Image DMN7022LFG-13 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 75V 7.8A PWDI3333-8 запрос
DMN95H2D2HCTI Diodes Incorporated MOSFET N-CH 950V 6A ITO220AB запрос
DMN90H8D5HCT Diodes Incorporated MOSFET N-CH 900V 2.5A TO220AB запрос
DMN67D8LDW-13 Image DMN67D8LDW-13 Diodes Incorporated MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363 запрос
DMNF1-288FIB-3K Panduit CONN QC RCPT 18-22AWG 0.110 запрос
DMN90H8D5HCTI Diodes Incorporated MOSFET N-CH 900V 2.5A ITO220AB запрос