ECH8601M-TL-H
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Изображения приведены только для справки.
См. Спецификации продукта для информации о продукте.
Купить ECH8601M-TL-H с уверенностью от AtechElec.com, 1 год гарантии
См. Спецификации продукта для информации о продукте.
Купить ECH8601M-TL-H с уверенностью от AtechElec.com, 1 год гарантии
Запрос цитаты
| Часть № | ECH8601M-TL-H |
|---|---|
| производитель | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Описание | MOSFET N-CH 24V 8A ECH8 |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Без свинца / Соответствует RoHS |
| Ссылка Цена (в долларах США) | Получение предложения | ||||
Спецификация
Техническая спецификация
| Vgs (й) (Max) @ Id: | 1.3V @ 1mA |
|---|---|
| Поставщик Упаковка устройства: | 8-ECH |
| Серии: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 23 mOhm @ 4A, 4.5V |
| упаковка: | Cut Tape (CT) |
| Упаковка /: | 8-SMD, Flat Lead |
| Другие названия: | ECH8601M-TL-HOSCT |
| Рабочая Температура: | 150°C (TJ) |
| Тип установки: | Surface Mount |
| Уровень чувствительности влаги (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds: | - |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs: | 7.5nC @ 4.5V |
| Тип FET: | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| FET Характеристика: | Logic Level Gate, 2.5V Drive |
| Слить к источнику напряжения (VDSS): | 24V |
| Подробное описание: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 24V 8A (Ta) Surface Mount 8-ECH |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C: | 8A (Ta) |
| Email: | info@atechelec.com |
Вводить
Мы можем предоставить ECH8601M-TL-H, использовать форму цитаты запроса, чтобы запросить ECH8601M-TL-H PIRCE и время выполнения заказа.Atech Electronics Профессиональный дистрибьютор электронных компонентов.С 3+ миллионами линейных элементов доступных электронных компонентов может быть доставлена в короткие сроки, а более 250 тысяч деталей в складе на складе для немедленной доставки, что может включать номер детали ECH8601M-TL-H. Цена и время за выполнение ECH8601M-TL-H в зависимости от количестваТребуется, доступность и склад
