EPC2110
EPC
Изображения приведены только для справки.
См. Спецификации продукта для информации о продукте.
Купить EPC2110 с уверенностью от AtechElec.com, 1 год гарантии
См. Спецификации продукта для информации о продукте.
Купить EPC2110 с уверенностью от AtechElec.com, 1 год гарантии
Запрос цитаты
| Часть № | EPC2110 |
|---|---|
| производитель | EPC |
| Описание | MOSFET 2NCH 120V 3.4A DIE |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Без свинца / Соответствует RoHS |
| Ссылка Цена (в долларах США) | 1 pcs | 10 pcs | 25 pcs | 100 pcs | |
|---|---|---|---|---|---|
| $2.68 | $2.421 | $2.162 | $1.946 | ||
| 250 pcs | 500 pcs | 1000 pcs | |||
| $1.729 | $1.513 | $1.254 | |||
Спецификация
Техническая спецификация
| Vgs (й) (Max) @ Id: | 2.5V @ 700µA |
|---|---|
| Поставщик Упаковка устройства: | Die |
| Серии: | eGaN® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 60 mOhm @ 4A, 5V |
| Мощность - Макс: | - |
| упаковка: | Cut Tape (CT) |
| Упаковка /: | Die |
| Другие названия: | 917-1152-1 |
| Рабочая Температура: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Уровень чувствительности влаги (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Стандартное время изготовления: | 14 Weeks |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds: | 80pF @ 60V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs: | 0.8nC @ 5V |
| Тип FET: | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| FET Характеристика: | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Слить к источнику напряжения (VDSS): | 120V |
| Подробное описание: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 120V 3.4A Die |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C: | 3.4A |
| Email: | info@atechelec.com |
Вводить
Мы можем предоставить EPC2110, использовать форму цитаты запроса, чтобы запросить EPC2110 PIRCE и время выполнения заказа.Atech Electronics Профессиональный дистрибьютор электронных компонентов.С 3+ миллионами линейных элементов доступных электронных компонентов может быть доставлена в короткие сроки, а более 250 тысяч деталей в складе на складе для немедленной доставки, что может включать номер детали EPC2110. Цена и время за выполнение EPC2110 в зависимости от количестваТребуется, доступность и склад
Связанные части для EPC2110
| Фото | Тип продуктов | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
EPC2111 | EPC | TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID | запрос |
 |
EPC2107 | EPC | MOSFET 3 N-CH 100V 9BGA | запрос |
 |
EPC2801 | EPC | TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE | запрос |
|
EPC2107ENGRT | EPC | TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE | запрос |
 |
EPC2818 | EPC | TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE | запрос |
 |
EPC2105ENGRT | EPC | MOSFET 2NCH 80V 9.5A DIE | запрос |
 |
EPC2104ENGRT | EPC | MOSFET 2NCH 100V 23A DIE | запрос |
|
EPC2105 | EPC | TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID | запрос |
 |
EPC2112ENGRT | EPC | 200 V GAN IC FET DRIVER | запрос |
 |
EPC2203 | EPC | GANFET N-CH 80V 1.7A 6SOLDER BAR | запрос |
 |
EPC2202 | EPC | GANFET N-CH 80V 18A DIE | запрос |
 |
EPC2110ENGRT | EPC | TRANS GAN 2N-CH 120V BUMPED DIE | запрос |
|
EPC2111ENGRT | EPC | TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID | запрос |
 |
EPC2106 | EPC | TRANS GAN SYM 100V BUMPED DIE | запрос |
 |
EPC2115ENGRT | EPC | 150 V GAN IC DUAL FET DRIVER | запрос |
|
EPC2108ENGRT | EPC | TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE | запрос |
|
EPC2815 | EPC | TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE | запрос |
|
EPC2108 | EPC | MOSFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA | запрос |
|
EPC2105ENG | EPC | TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE | запрос |
|
EPC2106ENGRT | EPC | TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE | запрос |