FDG6302P
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Изображения приведены только для справки.
См. Спецификации продукта для информации о продукте.
Купить FDG6302P с уверенностью от AtechElec.com, 1 год гарантии
См. Спецификации продукта для информации о продукте.
Купить FDG6302P с уверенностью от AtechElec.com, 1 год гарантии
Запрос цитаты
| Часть № | FDG6302P |
|---|---|
| производитель | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Описание | MOSFET 2P-CH 25V 0.14A SC70-6 |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Без свинца / Соответствует RoHS |
| Ссылка Цена (в долларах США) | Получение предложения | ||||
Спецификация
Техническая спецификация
| Vgs (й) (Max) @ Id: | 1.5V @ 250µA |
|---|---|
| Поставщик Упаковка устройства: | SC-70-6 |
| Серии: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 10 Ohm @ 140mA, 4.5V |
| Мощность - Макс: | 300mW |
| упаковка: | Tape & Reel (TR) |
| Упаковка /: | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип установки: | Surface Mount |
| Уровень чувствительности влаги (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds: | 12pF @ 10V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs: | 0.31nC @ 4.5V |
| Тип FET: | 2 P-Channel (Dual) |
| FET Характеристика: | Logic Level Gate |
| Слить к источнику напряжения (VDSS): | 25V |
| Подробное описание: | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 25V 140mA 300mW Surface Mount SC-70-6 |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C: | 140mA |
| Email: | info@atechelec.com |
Вводить
Мы можем предоставить FDG6302P, использовать форму цитаты запроса, чтобы запросить FDG6302P PIRCE и время выполнения заказа.Atech Electronics Профессиональный дистрибьютор электронных компонентов.С 3+ миллионами линейных элементов доступных электронных компонентов может быть доставлена в короткие сроки, а более 250 тысяч деталей в складе на складе для немедленной доставки, что может включать номер детали FDG6302P. Цена и время за выполнение FDG6302P в зависимости от количестваТребуется, доступность и склад
