FDJ1032C
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Изображения приведены только для справки.
См. Спецификации продукта для информации о продукте.
Купить FDJ1032C с уверенностью от AtechElec.com, 1 год гарантии
См. Спецификации продукта для информации о продукте.
Купить FDJ1032C с уверенностью от AtechElec.com, 1 год гарантии
Запрос цитаты
| Часть № | FDJ1032C |
|---|---|
| производитель | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Описание | MOSFET N/P-CH 20V 3.2A/2.8A SC75 |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Без свинца / Соответствует RoHS |
| Ссылка Цена (в долларах США) | Получение предложения | ||||
Спецификация
Техническая спецификация
| Vgs (й) (Max) @ Id: | 1.5V @ 250µA |
|---|---|
| Поставщик Упаковка устройства: | SC75-6 FLMP |
| Серии: | PowerTrench® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 90 mOhm @ 3.2A, 4.5V |
| Мощность - Макс: | 900mW |
| упаковка: | Tape & Reel (TR) |
| Упаковка /: | SC75-6 FLMP |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип установки: | Surface Mount |
| Уровень чувствительности влаги (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds: | 200pF @ 10V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs: | 3nC @ 4.5V |
| Тип FET: | N and P-Channel |
| FET Характеристика: | Logic Level Gate |
| Слить к источнику напряжения (VDSS): | 20V |
| Подробное описание: | Mosfet Array N and P-Channel 20V 3.2A, 2.8A 900mW Surface Mount SC75-6 FLMP |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C: | 3.2A, 2.8A |
| Email: | info@atechelec.com |
Вводить
Мы можем предоставить FDJ1032C, использовать форму цитаты запроса, чтобы запросить FDJ1032C PIRCE и время выполнения заказа.Atech Electronics Профессиональный дистрибьютор электронных компонентов.С 3+ миллионами линейных элементов доступных электронных компонентов может быть доставлена в короткие сроки, а более 250 тысяч деталей в складе на складе для немедленной доставки, что может включать номер детали FDJ1032C. Цена и время за выполнение FDJ1032C в зависимости от количестваТребуется, доступность и склад
