FDR8305N
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Изображения приведены только для справки.
См. Спецификации продукта для информации о продукте.
Купить FDR8305N с уверенностью от AtechElec.com, 1 год гарантии
См. Спецификации продукта для информации о продукте.
Купить FDR8305N с уверенностью от AtechElec.com, 1 год гарантии
Запрос цитаты
| Часть № | FDR8305N |
|---|---|
| производитель | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Описание | MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SSOT-8 |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Без свинца / Соответствует RoHS |
| Ссылка Цена (в долларах США) | Получение предложения | ||||
Спецификация
Техническая спецификация
| Vgs (й) (Max) @ Id: | 1.5V @ 250µA |
|---|---|
| Поставщик Упаковка устройства: | SuperSOT™-8 |
| Серии: | PowerTrench® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 22 mOhm @ 4.5A, 4.5V |
| Мощность - Макс: | 800mW |
| упаковка: | Tape & Reel (TR) |
| Упаковка /: | 8-SMD, Gull Wing |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип установки: | Surface Mount |
| Уровень чувствительности влаги (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds: | 1600pF @ 10V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs: | 23nC @ 4.5V |
| Тип FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Характеристика: | Logic Level Gate |
| Слить к источнику напряжения (VDSS): | 20V |
| Подробное описание: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 4.5A 800mW Surface Mount SuperSOT™-8 |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C: | 4.5A |
| Email: | info@atechelec.com |
Вводить
Мы можем предоставить FDR8305N, использовать форму цитаты запроса, чтобы запросить FDR8305N PIRCE и время выполнения заказа.Atech Electronics Профессиональный дистрибьютор электронных компонентов.С 3+ миллионами линейных элементов доступных электронных компонентов может быть доставлена в короткие сроки, а более 250 тысяч деталей в складе на складе для немедленной доставки, что может включать номер детали FDR8305N. Цена и время за выполнение FDR8305N в зависимости от количестваТребуется, доступность и склад
