GA20JT12-247
GeneSiC Semiconductor
Изображения приведены только для справки.
См. Спецификации продукта для информации о продукте.
Купить GA20JT12-247 с уверенностью от AtechElec.com, 1 год гарантии
См. Спецификации продукта для информации о продукте.
Купить GA20JT12-247 с уверенностью от AtechElec.com, 1 год гарантии
Запрос цитаты
| Часть № | GA20JT12-247 |
|---|---|
| производитель | GeneSiC Semiconductor |
| Описание | TRANS SJT 1.2KV 20A |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Без свинца / Соответствует RoHS |
| Ссылка Цена (в долларах США) | Получение предложения | ||||
Спецификация
Техническая спецификация
| Vgs (й) (Max) @ Id: | - |
|---|---|
| Vgs (макс.): | - |
| Технологии: | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Поставщик Упаковка устройства: | TO-247AB |
| Серии: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 70 mOhm @ 20A |
| Рассеиваемая мощность (макс): | 282W (Tc) |
| упаковка: | Tube |
| Упаковка /: | TO-247-3 |
| Другие названия: | 1242-1188 GA20JT12247 |
| Рабочая Температура: | 175°C (TJ) |
| Тип установки: | Through Hole |
| Уровень чувствительности влаги (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Тип FET: | - |
| FET Характеристика: | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On): | - |
| Слить к источнику напряжения (VDSS): | 1200V |
| Подробное описание: | 1200V 20A (Tc) 282W (Tc) Through Hole TO-247AB |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C: | 20A (Tc) |
| Email: | info@atechelec.com |
Вводить
Мы можем предоставить GA20JT12-247, использовать форму цитаты запроса, чтобы запросить GA20JT12-247 PIRCE и время выполнения заказа.Atech Electronics Профессиональный дистрибьютор электронных компонентов.С 3+ миллионами линейных элементов доступных электронных компонентов может быть доставлена в короткие сроки, а более 250 тысяч деталей в складе на складе для немедленной доставки, что может включать номер детали GA20JT12-247. Цена и время за выполнение GA20JT12-247 в зависимости от количестваТребуется, доступность и склад
