HERF1007GAHC0G
TSC (Taiwan Semiconductor)
Изображения приведены только для справки.
См. Спецификации продукта для информации о продукте.
Купить HERF1007GAHC0G с уверенностью от AtechElec.com, 1 год гарантии
См. Спецификации продукта для информации о продукте.
Купить HERF1007GAHC0G с уверенностью от AtechElec.com, 1 год гарантии
Запрос цитаты
| Часть № | HERF1007GAHC0G |
|---|---|
| производитель | TSC (Taiwan Semiconductor) |
| Описание | DIODE, HIGH EFFICIENT |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS |
| Ссылка Цена (в долларах США) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $1.01 | $0.887 | $0.684 | $0.507 | $0.406 | |
Спецификация
Техническая спецификация
| Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если: | 1.7V @ 5A |
|---|---|
| Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс): | 800V |
| Поставщик Упаковка устройства: | ITO-220AB |
| скорость: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Серии: | Automotive, AEC-Q101 |
| Обратное время восстановления (ТИР): | 80ns |
| упаковка: | Tube |
| Упаковка /: | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
| Рабочая температура - Соединение: | -55°C ~ 150°C |
| Тип установки: | Through Hole |
| Уровень чувствительности влаги (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Стандартное время изготовления: | 8 Weeks |
| Диод Тип: | Standard |
| Подробное описание: | Diode Standard 800V 10A Through Hole ITO-220AB |
| Ток - Обратный утечки @ Vr: | 10µA @ 800V |
| Текущий - средний выпрямленный (Io): | 10A |
| Емкостной @ В.Р., F: | 40pF @ 4V, 1MHz |
| Email: | info@atechelec.com |
Вводить
Мы можем предоставить HERF1007GAHC0G, использовать форму цитаты запроса, чтобы запросить HERF1007GAHC0G PIRCE и время выполнения заказа.Atech Electronics Профессиональный дистрибьютор электронных компонентов.С 3+ миллионами линейных элементов доступных электронных компонентов может быть доставлена в короткие сроки, а более 250 тысяч деталей в складе на складе для немедленной доставки, что может включать номер детали HERF1007GAHC0G. Цена и время за выполнение HERF1007GAHC0G в зависимости от количестваТребуется, доступность и склад
