IDT70V27S20PFI
IDT (Integrated Device Technology)
Изображения приведены только для справки.
См. Спецификации продукта для информации о продукте.
Купить IDT70V27S20PFI с уверенностью от AtechElec.com, 1 год гарантии
См. Спецификации продукта для информации о продукте.
Купить IDT70V27S20PFI с уверенностью от AtechElec.com, 1 год гарантии
Запрос цитаты
| Часть № | IDT70V27S20PFI |
|---|---|
| производитель | IDT (Integrated Device Technology) |
| Описание | IC SRAM 512K PARALLEL 100TQFP |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Без свинца / Соответствует RoHS |
| Ссылка Цена (в долларах США) | 90 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $45.746 | |||||
Спецификация
Техническая спецификация
| Время цикла записи - слово, страница: | 20ns |
|---|---|
| Напряжение тока - поставка: | 3 V ~ 3.6 V |
| Технологии: | SRAM - Dual Port, Asynchronous |
| Поставщик Упаковка устройства: | 100-TQFP (14x14) |
| Серии: | - |
| упаковка: | Tray |
| Упаковка /: | 100-TQFP |
| Другие названия: | Q8548266 |
| Рабочая Температура: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Тип установки: | Surface Mount |
| Уровень чувствительности влаги (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Тип памяти: | Volatile |
| Размер памяти: | 512Kb (32K x 16) |
| Интерфейс памяти: | Parallel |
| Формат памяти: | SRAM |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Подробное описание: | SRAM - Dual Port, Asynchronous Memory IC 512Kb (32K x 16) Parallel 20ns 100-TQFP (14x14) |
| Время доступа: | 20ns |
| Email: | info@atechelec.com |
Вводить
Мы можем предоставить IDT70V27S20PFI, использовать форму цитаты запроса, чтобы запросить IDT70V27S20PFI PIRCE и время выполнения заказа.Atech Electronics Профессиональный дистрибьютор электронных компонентов.С 3+ миллионами линейных элементов доступных электронных компонентов может быть доставлена в короткие сроки, а более 250 тысяч деталей в складе на складе для немедленной доставки, что может включать номер детали IDT70V27S20PFI. Цена и время за выполнение IDT70V27S20PFI в зависимости от количестваТребуется, доступность и склад
