IDT71V256SA20Y
IDT (Integrated Device Technology)
Изображения приведены только для справки.
См. Спецификации продукта для информации о продукте.
Купить IDT71V256SA20Y с уверенностью от AtechElec.com, 1 год гарантии
См. Спецификации продукта для информации о продукте.
Купить IDT71V256SA20Y с уверенностью от AtechElec.com, 1 год гарантии
Запрос цитаты
| Часть № | IDT71V256SA20Y |
|---|---|
| производитель | IDT (Integrated Device Technology) |
| Описание | IC SRAM 256K PARALLEL 28SOJ |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Содержит несоответствие свинца / RoHS |
| Ссылка Цена (в долларах США) | Получение предложения | ||||
Спецификация
Техническая спецификация
| Время цикла записи - слово, страница: | 20ns |
|---|---|
| Напряжение тока - поставка: | 3 V ~ 3.6 V |
| Технологии: | SRAM - Asynchronous |
| Поставщик Упаковка устройства: | 28-SOJ |
| Серии: | - |
| упаковка: | Tube |
| Упаковка /: | 28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width) |
| Другие названия: | 71V256SA20Y |
| Рабочая Температура: | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Тип установки: | Surface Mount |
| Уровень чувствительности влаги (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Тип памяти: | Volatile |
| Размер памяти: | 256Kb (32K x 8) |
| Интерфейс памяти: | Parallel |
| Формат памяти: | SRAM |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Подробное описание: | SRAM - Asynchronous Memory IC 256Kb (32K x 8) Parallel 20ns 28-SOJ |
| Номер базового номера: | IDT71V256 |
| Время доступа: | 20ns |
| Email: | info@atechelec.com |
Вводить
Мы можем предоставить IDT71V256SA20Y, использовать форму цитаты запроса, чтобы запросить IDT71V256SA20Y PIRCE и время выполнения заказа.Atech Electronics Профессиональный дистрибьютор электронных компонентов.С 3+ миллионами линейных элементов доступных электронных компонентов может быть доставлена в короткие сроки, а более 250 тысяч деталей в складе на складе для немедленной доставки, что может включать номер детали IDT71V256SA20Y. Цена и время за выполнение IDT71V256SA20Y в зависимости от количестваТребуется, доступность и склад
