IMB3AT110
LAPIS Semiconductor
Изображения приведены только для справки.
См. Спецификации продукта для информации о продукте.
Купить IMB3AT110 с уверенностью от AtechElec.com, 1 год гарантии
См. Спецификации продукта для информации о продукте.
Купить IMB3AT110 с уверенностью от AtechElec.com, 1 год гарантии
Запрос цитаты
| Часть № | IMB3AT110 |
|---|---|
| производитель | LAPIS Semiconductor |
| Описание | TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6 |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Без свинца / Соответствует RoHS |
| Ссылка Цена (в долларах США) | 3000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.116 | |||||
Спецификация
Техническая спецификация
| Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс): | 50V |
|---|---|
| Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic: | 300mV @ 2.5mA, 5mA |
| Тип транзистор: | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Поставщик Упаковка устройства: | SMT6 |
| Серии: | - |
| Резистор - основание эмиттера (R2): | - |
| Резистор - основание (R1): | 4.7 kOhms |
| Мощность - Макс: | 300mW |
| упаковка: | Tape & Reel (TR) |
| Упаковка /: | SC-74, SOT-457 |
| Тип установки: | Surface Mount |
| Уровень чувствительности влаги (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Стандартное время изготовления: | 10 Weeks |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Частота - Переход: | 250MHz |
| Подробное описание: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SMT6 |
| DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce: | 100 @ 1mA, 5V |
| Ток - Коллектор Граничная (Макс): | - |
| Ток - коллектор (Ic) (Макс): | 100mA |
| Номер базового номера: | MB3 |
| Email: | info@atechelec.com |
Вводить
Мы можем предоставить IMB3AT110, использовать форму цитаты запроса, чтобы запросить IMB3AT110 PIRCE и время выполнения заказа.Atech Electronics Профессиональный дистрибьютор электронных компонентов.С 3+ миллионами линейных элементов доступных электронных компонентов может быть доставлена в короткие сроки, а более 250 тысяч деталей в складе на складе для немедленной доставки, что может включать номер детали IMB3AT110. Цена и время за выполнение IMB3AT110 в зависимости от количестваТребуется, доступность и склад
Связанные части для IMB3AT110
| Фото | Тип продуктов | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
IMBD4148-HE3-18 | Electro-Films (EFI) / Vishay | DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23 | запрос |
 |
IMB36656C | Crouzet | IPD 6.5-6MM NONSHLD 3W SPST 2M | запрос |
|
IMB36654M12 | Crouzet | IPD 6.5-4MM NONSHLD 3W SPST M12 | запрос |
|
IMB36656M8 | Crouzet | IPD 6.5-6MM NONSHLD 3W SPST M8 | запрос |
 |
IMB7AT108 | LAPIS Semiconductor | TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SOT457 | запрос |
|
IMBD4148-E3-08 | Electro-Films (EFI) / Vishay | DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23 | запрос |
|
IMBD4148-G3-08 | Electro-Films (EFI) / Vishay | DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23 | запрос |
|
IMBD4148-E3-18 | Electro-Films (EFI) / Vishay | DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23 | запрос |
|
IMB36654M8 | Crouzet | IPD 6.5-4MM NONSHLD 3W SPST M8 | запрос |
 |
IMB5AT108 | LAPIS Semiconductor | TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC74 | запрос |
|
IMB36656M12 | Crouzet | IPD 6.5-6MM NONSHLD 3W SPST M12 | запрос |
|
IMBD4148-G3-18 | Electro-Films (EFI) / Vishay | DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23 | запрос |
|
IMB36652M8 | Crouzet | IPD 6.5-2MM NONSHLD 3W SPST M8 | запрос |
|
IMB9AT110 | LAPIS Semiconductor | TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6 | запрос |
|
IMB36652M12 | Crouzet | IPD 6.5-2MM NONSHLD 3W SPST M12 | запрос |
|
IMBD4148-HE3-08 | Electro-Films (EFI) / Vishay | DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23 | запрос |
|
IMB36654C | Crouzet | IPD 6.5-4MM NONSHLD 3W SPST 2M | запрос |
|
IMB35656M8 | Crouzet | IPD 6.5-6MM NONSHLD 3W SPST M8 | запрос |
|
IMB4AT110 | ROHM | TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6 | запрос |
|
IMB36652C | Crouzet | IPD 6.5-2MM NONSHLD 3W SPST 2M | запрос |