IPD082N10N3GBTMA1
International Rectifier (Infineon Technologies)
Изображения приведены только для справки.
См. Спецификации продукта для информации о продукте.
Купить IPD082N10N3GBTMA1 с уверенностью от AtechElec.com, 1 год гарантии
См. Спецификации продукта для информации о продукте.
Купить IPD082N10N3GBTMA1 с уверенностью от AtechElec.com, 1 год гарантии
Запрос цитаты
| Часть № | IPD082N10N3GBTMA1 |
|---|---|
| производитель | International Rectifier (Infineon Technologies) |
| Описание | MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3 |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Без свинца / Соответствует RoHS |
| Ссылка Цена (в долларах США) | Получение предложения | ||||
Спецификация
Техническая спецификация
| Vgs (й) (Max) @ Id: | 3.5V @ 75µA |
|---|---|
| Vgs (макс.): | ±20V |
| Технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства: | PG-TO252-3 |
| Серии: | OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 8.2 mOhm @ 73A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс): | 125W (Tc) |
| упаковка: | Tape & Reel (TR) |
| Упаковка /: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Другие названия: | IPD082N10N3 G IPD082N10N3 G-ND IPD082N10N3GBTMA1TR SP000485986 |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Тип установки: | Surface Mount |
| Уровень чувствительности влаги (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds: | 3980pF @ 50V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs: | 55nC @ 10V |
| Тип FET: | N-Channel |
| FET Характеристика: | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On): | 6V, 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS): | 100V |
| Подробное описание: | N-Channel 100V 80A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C: | 80A (Tc) |
| Email: | info@atechelec.com |
Вводить
Мы можем предоставить IPD082N10N3GBTMA1, использовать форму цитаты запроса, чтобы запросить IPD082N10N3GBTMA1 PIRCE и время выполнения заказа.Atech Electronics Профессиональный дистрибьютор электронных компонентов.С 3+ миллионами линейных элементов доступных электронных компонентов может быть доставлена в короткие сроки, а более 250 тысяч деталей в складе на складе для немедленной доставки, что может включать номер детали IPD082N10N3GBTMA1. Цена и время за выполнение IPD082N10N3GBTMA1 в зависимости от количестваТребуется, доступность и склад
Связанные части для IPD082N10N3GBTMA1
| Фото | Тип продуктов | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
IPD090N03L | Infineon | запрос | |
|
IPD090N03 | Infineon | запрос | |
 |
IPD088N04LGBTMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3 | запрос |
|
IPD07N03LA | Infineon | запрос | |
|
IPD079N06L3 | Infineon | запрос | |
|
IPD088N04L G | Infineon | запрос | |
|
IPD07N03L | Infineon | запрос | |
|
IPD082N10N3G 082N10N | Infineon | запрос | |
|
IPD082N10N3G | Infineon | запрос | |
|
IPD088N06N3G | Infineon | запрос | |
|
IPD088N04LG | Infineon | запрос | |
|
IPD075N03LGBTMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3 | запрос |
|
IPD079N06L3GBTMA1 | Infineon | MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3 | запрос |
|
IPD079N06L3G | Infineon | запрос | |
|
IPD090N03LG | Infineon | запрос | |
|
IPD079N06L3 G | Infineon | запрос | |
|
IPD088N06N3 G | Infineon | запрос | |
|
IPD082N10N3GATMA1 | Infineon | MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3 | запрос |
|
IPD088N06N3GBTMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3 | запрос |
|
IPD088N06N | Infineon | запрос |