IRF5810TR
International Rectifier (Infineon Technologies)
Изображения приведены только для справки.
См. Спецификации продукта для информации о продукте.
Купить IRF5810TR с уверенностью от AtechElec.com, 1 год гарантии
См. Спецификации продукта для информации о продукте.
Купить IRF5810TR с уверенностью от AtechElec.com, 1 год гарантии
Запрос цитаты
| Часть № | IRF5810TR |
|---|---|
| производитель | Infineon |
| Описание | MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6-TSOP |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Содержит несоответствие свинца / RoHS |
| Ссылка Цена (в долларах США) | Получение предложения | ||||
Спецификация
Техническая спецификация
| Vgs (й) (Max) @ Id: | 1.2V @ 250µA |
|---|---|
| Поставщик Упаковка устройства: | 6-TSOP |
| Серии: | HEXFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 90 mOhm @ 2.9A, 4.5V |
| Мощность - Макс: | 960mW |
| упаковка: | Tape & Reel (TR) |
| Упаковка /: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип установки: | Surface Mount |
| Уровень чувствительности влаги (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds: | 650pF @ 16V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs: | 9.6nC @ 4.5V |
| Тип FET: | 2 P-Channel (Dual) |
| FET Характеристика: | Logic Level Gate |
| Слить к источнику напряжения (VDSS): | 20V |
| Подробное описание: | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 2.9A 960mW Surface Mount 6-TSOP |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C: | 2.9A |
| Email: | info@atechelec.com |
Вводить
Мы можем предоставить IRF5810TR, использовать форму цитаты запроса, чтобы запросить IRF5810TR PIRCE и время выполнения заказа.Atech Electronics Профессиональный дистрибьютор электронных компонентов.С 3+ миллионами линейных элементов доступных электронных компонентов может быть доставлена в короткие сроки, а более 250 тысяч деталей в складе на складе для немедленной доставки, что может включать номер детали IRF5810TR. Цена и время за выполнение IRF5810TR в зависимости от количестваТребуется, доступность и склад
