IRF7203TR
International Rectifier (Infineon Technologies)
Изображения приведены только для справки.
См. Спецификации продукта для информации о продукте.
Купить IRF7203TR с уверенностью от AtechElec.com, 1 год гарантии
См. Спецификации продукта для информации о продукте.
Купить IRF7203TR с уверенностью от AtechElec.com, 1 год гарантии
Запрос цитаты
| Часть № | IRF7203TR |
|---|---|
| производитель | International Rectifier |
| Описание | MOSFET P-CH 20V 4.3A 8-SOIC |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Содержит несоответствие свинца / RoHS |
| Ссылка Цена (в долларах США) | Получение предложения | ||||
Спецификация
Техническая спецификация
| Vgs (й) (Max) @ Id: | - |
|---|---|
| Технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства: | 8-SO |
| Серии: | HEXFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 100 mOhm @ 2A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс): | - |
| упаковка: | Tape & Reel (TR) |
| Упаковка /: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Рабочая Температура: | - |
| Тип установки: | Surface Mount |
| Уровень чувствительности влаги (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds: | 750pF @ 20V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs: | 40nC @ 10V |
| Тип FET: | P-Channel |
| FET Характеристика: | - |
| Слить к источнику напряжения (VDSS): | 20V |
| Подробное описание: | P-Channel 20V 4.3A (Ta) Surface Mount 8-SO |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C: | 4.3A (Ta) |
| Email: | info@atechelec.com |
Вводить
Мы можем предоставить IRF7203TR, использовать форму цитаты запроса, чтобы запросить IRF7203TR PIRCE и время выполнения заказа.Atech Electronics Профессиональный дистрибьютор электронных компонентов.С 3+ миллионами линейных элементов доступных электронных компонентов может быть доставлена в короткие сроки, а более 250 тысяч деталей в складе на складе для немедленной доставки, что может включать номер детали IRF7203TR. Цена и время за выполнение IRF7203TR в зависимости от количестваТребуется, доступность и склад
