IRF7757TR
International Rectifier (Infineon Technologies)
Изображения приведены только для справки.
См. Спецификации продукта для информации о продукте.
Купить IRF7757TR с уверенностью от AtechElec.com, 1 год гарантии
См. Спецификации продукта для информации о продукте.
Купить IRF7757TR с уверенностью от AtechElec.com, 1 год гарантии
Запрос цитаты
| Часть № | IRF7757TR |
|---|---|
| производитель | Infineon |
| Описание | MOSFET 2N-CH 20V 4.8A TSSOP-8 |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Содержит несоответствие свинца / RoHS |
| Ссылка Цена (в долларах США) | Получение предложения | ||||
Спецификация
Техническая спецификация
| Vgs (й) (Max) @ Id: | 1.2V @ 250µA |
|---|---|
| Поставщик Упаковка устройства: | 8-TSSOP |
| Серии: | HEXFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 35 mOhm @ 4.8A, 4.5V |
| Мощность - Макс: | 1.2W |
| упаковка: | Tape & Reel (TR) |
| Упаковка /: | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип установки: | Surface Mount |
| Уровень чувствительности влаги (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds: | 1340pF @ 15V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs: | 23nC @ 4.5V |
| Тип FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Характеристика: | Logic Level Gate |
| Слить к источнику напряжения (VDSS): | 20V |
| Подробное описание: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 4.8A 1.2W Surface Mount 8-TSSOP |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C: | 4.8A |
| Email: | info@atechelec.com |
Вводить
Мы можем предоставить IRF7757TR, использовать форму цитаты запроса, чтобы запросить IRF7757TR PIRCE и время выполнения заказа.Atech Electronics Профессиональный дистрибьютор электронных компонентов.С 3+ миллионами линейных элементов доступных электронных компонентов может быть доставлена в короткие сроки, а более 250 тысяч деталей в складе на складе для немедленной доставки, что может включать номер детали IRF7757TR. Цена и время за выполнение IRF7757TR в зависимости от количестваТребуется, доступность и склад
