IRLR8103
International Rectifier (Infineon Technologies)
Изображения приведены только для справки.
См. Спецификации продукта для информации о продукте.
Купить IRLR8103 с уверенностью от AtechElec.com, 1 год гарантии
См. Спецификации продукта для информации о продукте.
Купить IRLR8103 с уверенностью от AtechElec.com, 1 год гарантии
Запрос цитаты
| Часть № | IRLR8103 |
|---|---|
| производитель | Infineon |
| Описание | MOSFET N-CH 30V 89A D-PAK |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Содержит несоответствие свинца / RoHS |
| Ссылка Цена (в долларах США) | Получение предложения | ||||
Спецификация
Техническая спецификация
| Vgs (й) (Max) @ Id: | 2V @ 250µA (Min) |
|---|---|
| Vgs (макс.): | ±20V |
| Технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства: | D-Pak |
| Серии: | HEXFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 7 mOhm @ 15A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс): | 89W (Ta) |
| упаковка: | Tube |
| Упаковка /: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Тип установки: | Surface Mount |
| Уровень чувствительности влаги (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs: | 50nC @ 5V |
| Тип FET: | N-Channel |
| FET Характеристика: | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS): | 30V |
| Подробное описание: | N-Channel 30V 89A (Ta) 89W (Ta) Surface Mount D-Pak |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C: | 89A (Ta) |
| Email: | info@atechelec.com |
Вводить
Мы можем предоставить IRLR8103, использовать форму цитаты запроса, чтобы запросить IRLR8103 PIRCE и время выполнения заказа.Atech Electronics Профессиональный дистрибьютор электронных компонентов.С 3+ миллионами линейных элементов доступных электронных компонентов может быть доставлена в короткие сроки, а более 250 тысяч деталей в складе на складе для немедленной доставки, что может включать номер детали IRLR8103. Цена и время за выполнение IRLR8103 в зависимости от количестваТребуется, доступность и склад
