IXFM42N20
IXYS Corporation
Изображения приведены только для справки.
См. Спецификации продукта для информации о продукте.
Купить IXFM42N20 с уверенностью от AtechElec.com, 1 год гарантии
См. Спецификации продукта для информации о продукте.
Купить IXFM42N20 с уверенностью от AtechElec.com, 1 год гарантии
Запрос цитаты
| Часть № | IXFM42N20 |
|---|---|
| производитель | IXYS Corporation |
| Описание | POWER MOSFET TO-3 |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Без свинца / Соответствует RoHS |
| Ссылка Цена (в долларах США) | Получение предложения | ||||
Спецификация
Техническая спецификация
| Vgs (й) (Max) @ Id: | 4V @ 4mA |
|---|---|
| Vgs (макс.): | ±20V |
| Технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства: | TO-204AE |
| Серии: | HiPerFET™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 60 mOhm @ 21A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс): | 300W (Tc) |
| Упаковка /: | TO-204AE |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип установки: | Through Hole |
| Уровень чувствительности влаги (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds: | 4400pF @ 25V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs: | 220nC @ 10V |
| Тип FET: | N-Channel |
| FET Характеристика: | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS): | 200V |
| Подробное описание: | N-Channel 200V 42A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-204AE |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C: | 42A (Tc) |
| Email: | info@atechelec.com |
Вводить
Мы можем предоставить IXFM42N20, использовать форму цитаты запроса, чтобы запросить IXFM42N20 PIRCE и время выполнения заказа.Atech Electronics Профессиональный дистрибьютор электронных компонентов.С 3+ миллионами линейных элементов доступных электронных компонентов может быть доставлена в короткие сроки, а более 250 тысяч деталей в складе на складе для немедленной доставки, что может включать номер детали IXFM42N20. Цена и время за выполнение IXFM42N20 в зависимости от количестваТребуется, доступность и склад
