IXTA08N100D2HV

IXYS Corporation

IXTA08N100D2HV
Изображения приведены только для справки.
См. Спецификации продукта для информации о продукте.
Купить IXTA08N100D2HV с уверенностью от AtechElec.com, 1 год гарантии

Запрос цитаты

Часть № IXTA08N100D2HV
производитель IXYS Corporation
Описание MOSFET N-CH
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
Вызов
Ссылка Цена
(в долларах США)
50 pcs
$2.588
Отправьте запрос для предложения о величинах, превышающих отображаемые.
Проходная цена:(USD)
Количество:
Всего:
$2.588

Спецификация

Техническая спецификация

Vgs (й) (Max) @ Id:4V @ 25µA
Vgs (макс.):±20V
Технологии:MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства:TO-263HV
Серии:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:21 Ohm @ 400mA, 0V
Рассеиваемая мощность (макс):60W (Tc)
Упаковка /:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки:Surface Mount
Стандартное время изготовления:24 Weeks
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds:325pF @ 25V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs:14.6nC @ 5V
Тип FET:N-Channel
FET Характеристика:Depletion Mode
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On):0V
Слить к источнику напряжения (VDSS):1000V
Подробное описание:N-Channel 1000V 800mA (Tj) 60W (Tc) Surface Mount TO-263HV
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C:800mA (Tj)
Email:info@atechelec.com

Вводить

Мы можем предоставить IXTA08N100D2HV, использовать форму цитаты запроса, чтобы запросить IXTA08N100D2HV PIRCE и время выполнения заказа.Atech Electronics Профессиональный дистрибьютор электронных компонентов.С 3+ миллионами линейных элементов доступных электронных компонентов может быть доставлена в короткие сроки, а более 250 тысяч деталей в складе на складе для немедленной доставки, что может включать номер детали IXTA08N100D2HV. Цена и время за выполнение IXTA08N100D2HV в зависимости от количестваТребуется, доступность и склад