JAN1N5417US
Microsemi
Изображения приведены только для справки.
См. Спецификации продукта для информации о продукте.
Купить JAN1N5417US с уверенностью от AtechElec.com, 1 год гарантии
См. Спецификации продукта для информации о продукте.
Купить JAN1N5417US с уверенностью от AtechElec.com, 1 год гарантии
Запрос цитаты
| Часть № | JAN1N5417US |
|---|---|
| производитель | Microsemi |
| Описание | DIODE GEN PURP 200V 3A B-MELF |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Содержит несоответствие свинца / RoHS |
| Ссылка Цена (в долларах США) | 100 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $13.24 | |||||
Спецификация
Техническая спецификация
| Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если: | 1.5V @ 9A |
|---|---|
| Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс): | 200V |
| Поставщик Упаковка устройства: | B, SQ-MELF |
| скорость: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Серии: | Military, MIL-PRF-19500/411 |
| Обратное время восстановления (ТИР): | 150ns |
| упаковка: | Bulk |
| Упаковка /: | SQ-MELF, B |
| Другие названия: | 1086-2089 1086-2089-MIL |
| Рабочая температура - Соединение: | -65°C ~ 175°C |
| Тип установки: | Surface Mount |
| Уровень чувствительности влаги (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Стандартное время изготовления: | 8 Weeks |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Диод Тип: | Standard |
| Подробное описание: | Diode Standard 200V 3A Surface Mount B, SQ-MELF |
| Ток - Обратный утечки @ Vr: | 1µA @ 200V |
| Текущий - средний выпрямленный (Io): | 3A |
| Емкостной @ В.Р., F: | - |
| Email: | info@atechelec.com |
Вводить
Мы можем предоставить JAN1N5417US, использовать форму цитаты запроса, чтобы запросить JAN1N5417US PIRCE и время выполнения заказа.Atech Electronics Профессиональный дистрибьютор электронных компонентов.С 3+ миллионами линейных элементов доступных электронных компонентов может быть доставлена в короткие сроки, а более 250 тысяч деталей в складе на складе для немедленной доставки, что может включать номер детали JAN1N5417US. Цена и время за выполнение JAN1N5417US в зависимости от количестваТребуется, доступность и склад
Связанные части для JAN1N5417US
| Фото | Тип продуктов | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
JAN1N5518C-1 | Microsemi | DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35 | запрос |
 |
JAN1N5415US | Microsemi | DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL | запрос |
|
JAN1N5418US | Microsemi | DIODE GEN PURP 400V 3A D5B | запрос |
 |
JAN1N5312UR-1 | Microsemi | DIODE CURRENT REG 100V | запрос |
 |
JAN1N5419 | Microsemi | DIODE GEN PURP 500V 3A AXIAL | запрос |
 |
JAN1N5420 | Microchip | DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL | запрос |
|
JAN1N5419US | Microsemi | DIODE GEN PURP 500V 3A D5B | запрос |
|
JAN1N5314UR-1 | Microsemi | DIODE CURRENT REG 100V | запрос |
|
JAN1N5314-1 | Microsemi | DIODE CURRENT REG 100V | запрос |
 |
JAN1N5518BUR-1 | Microsemi Corporation | DIODE ZENER 3.3V 500MW DO213AA | запрос |
 |
JAN1N5416 | Microsemi | DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL | запрос |
|
JAN1N5420US | Microsemi | DIODE GEN PURP 600V 3A D5B | запрос |
 |
JAN1N5417 | Microsemi | DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL | запрос |
|
JAN1N5313-1 | Microsemi | DIODE CURRENT REG 100V | запрос |
|
JAN1N5518CUR-1 | Microsemi | DIODE ZENER 3.3V 500MW DO213AA | запрос |
|
JAN1N5518B-1 | Microsemi | DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35 | запрос |
 |
JAN1N5415 | Microchip | DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL | запрос |
|
JAN1N5416US | Microsemi | DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL | запрос |
|
JAN1N5418 | Microsemi | DIODE GEN PURP 400V 3A AXIAL | запрос |
|
JAN1N5313UR-1 | Microsemi | DIODE CURRENT REG 100V | запрос |