JAN1N5621
Microsemi
Изображения приведены только для справки.
См. Спецификации продукта для информации о продукте.
Купить JAN1N5621 с уверенностью от AtechElec.com, 1 год гарантии
См. Спецификации продукта для информации о продукте.
Купить JAN1N5621 с уверенностью от AtechElec.com, 1 год гарантии
Запрос цитаты
| Часть № | JAN1N5621 |
|---|---|
| производитель | Microsemi Corporation |
| Описание | DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Содержит несоответствие свинца / RoHS |
| Ссылка Цена (в долларах США) | 139 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $7.326 | |||||
Спецификация
Техническая спецификация
| Напряжение - Пиковое обратное (Макс): | Standard |
|---|---|
| Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если: | 1A |
| Серии: | Military, MIL-PRF-19500/429 |
| Статус RoHS: | Bulk |
| Обратное время восстановления (ТИР): | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Сопротивление @ Если, F: | - |
| поляризация: | A, Axial |
| Другие названия: | 1086-2112 1086-2112-MIL |
| Рабочая температура - Соединение: | 300ns |
| Тип установки: | Through Hole |
| Уровень влажности (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Стандартное время изготовления: | 8 Weeks |
| Номер детали производителя: | JAN1N5621 |
| Расширенное описание: | Diode Standard 800V 1A Through Hole |
| Диод Конфигурация: | 500nA @ 800V |
| Описание: | DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL |
| Ток - Обратный утечки @ Vr: | 1.6V @ 3A |
| Текущий - средний выпрямленный (Io) (за Diode): | 800V |
| Емкостной @ В.Р., F: | -65°C ~ 175°C |
| Email: | info@atechelec.com |
Вводить
Мы можем предоставить JAN1N5621, использовать форму цитаты запроса, чтобы запросить JAN1N5621 PIRCE и время выполнения заказа.Atech Electronics Профессиональный дистрибьютор электронных компонентов.С 3+ миллионами линейных элементов доступных электронных компонентов может быть доставлена в короткие сроки, а более 250 тысяч деталей в складе на складе для немедленной доставки, что может включать номер детали JAN1N5621. Цена и время за выполнение JAN1N5621 в зависимости от количестваТребуется, доступность и склад
Связанные части для JAN1N5621
| Фото | Тип продуктов | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
JAN1N5618US | Microsemi | DIODE GEN PURP 600V 1A D5A | запрос |
 |
JAN1N5616 | Microsemi | DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL | запрос |
|
JAN1N5637A | Microsemi | TVS DIODE 12.8V 21.2V DO13 | запрос |
 |
JAN1N5639A | Microchip | TVS DIODE 15.3V 25.2V DO13 | запрос |
|
JAN1N5632A | Microsemi | TVS DIODE 7.78V 13.4V DO13 | запрос |
|
JAN1N5629A | Microsemi | TVS DIODE 5.8V 10.5V DO13 | запрос |
|
JAN1N5635A | Microsemi | TVS DIODE 10.2V 16.7V DO13 | запрос |
|
JAN1N5621US | Microsemi | DIODE GEN PURP 800V 1A D5A | запрос |
|
JAN1N5622US | Microsemi | DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A | запрос |
|
JAN1N5618 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL | запрос |
|
JAN1N5620US | Microsemi | DIODE GEN PURP 800V 1A D5A | запрос |
 |
JAN1N5622 | Microsemi | DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL | запрос |
 |
JAN1N5617 | Microchip | DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL | запрос |
|
JAN1N5623US | Microsemi | DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A | запрос |
|
JAN1N5619US | Microsemi | DIODE GEN PURP 600V 1A D5A | запрос |
 |
JAN1N5620 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL | запрос |
|
JAN1N5623 | Microsemi | DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL | запрос |
 |
JAN1N5619 | Microsemi | DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL | запрос |
|
JAN1N5616US | Microsemi | DIODE GEN PURP 400V 1A D5A | запрос |
|
JAN1N5617US | Microsemi | DIODE GEN PURP 400V 1A D5A | запрос |