JAN1N5804US
Microsemi
Изображения приведены только для справки.
См. Спецификации продукта для информации о продукте.
Купить JAN1N5804US с уверенностью от AtechElec.com, 1 год гарантии
См. Спецификации продукта для информации о продукте.
Купить JAN1N5804US с уверенностью от AtechElec.com, 1 год гарантии
Запрос цитаты
| Часть № | JAN1N5804US |
|---|---|
| производитель | Microsemi |
| Описание | DIODE GEN PURP 100V 2.5A D5A |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Содержит несоответствие свинца / RoHS |
| Ссылка Цена (в долларах США) | Получение предложения | ||||
Спецификация
Техническая спецификация
| Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если: | 975mV @ 2.5A |
|---|---|
| Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс): | 100V |
| Поставщик Упаковка устройства: | D-5A |
| скорость: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Серии: | Military, MIL-PRF-19500/477 |
| Обратное время восстановления (ТИР): | 25ns |
| упаковка: | Bulk |
| Упаковка /: | SQ-MELF, A |
| Другие названия: | 1086-2120 1086-2120-MIL |
| Рабочая температура - Соединение: | -65°C ~ 175°C |
| Тип установки: | Surface Mount |
| Уровень чувствительности влаги (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Диод Тип: | Standard |
| Подробное описание: | Diode Standard 100V 2.5A Surface Mount D-5A |
| Ток - Обратный утечки @ Vr: | 1µA @ 100V |
| Текущий - средний выпрямленный (Io): | 2.5A |
| Емкостной @ В.Р., F: | 25pF @ 10V, 1MHz |
| Email: | info@atechelec.com |
Вводить
Мы можем предоставить JAN1N5804US, использовать форму цитаты запроса, чтобы запросить JAN1N5804US PIRCE и время выполнения заказа.Atech Electronics Профессиональный дистрибьютор электронных компонентов.С 3+ миллионами линейных элементов доступных электронных компонентов может быть доставлена в короткие сроки, а более 250 тысяч деталей в складе на складе для немедленной доставки, что может включать номер детали JAN1N5804US. Цена и время за выполнение JAN1N5804US в зависимости от количестваТребуется, доступность и склад
Связанные части для JAN1N5804US
| Фото | Тип продуктов | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
JAN1N5807URS | Microsemi | DIODE GEN PURP 50V 3A BPKG | запрос |
 |
JAN1N5802US | Microsemi | DIODE GEN PURP 50V 2.5A D5A | запрос |
|
JAN1N5660A | Microsemi | TVS DIODE 111V 179V DO13 | запрос |
|
JAN1N5809 | Microsemi | DIODE GEN PURP 100V 6A AXIAL | запрос |
 |
JAN1N5711 | Microchip | запрос | |
|
JAN1N5804URS | Microsemi | DIODE GEN PURP 100V 1A APKG | запрос |
|
JAN1N5772 | Microsemi Corporation | TVS DIODE 10CFLATPACK | запрос |
 |
JAN1N5711-1 | Microchip | DIODE SCHOTTKY 70V 33MA DO35 | запрос |
|
JAN1N5802 | Microsemi | DIODE GEN PURP 50V 2.5A AXIAL | запрос |
|
JAN1N5802URS | Microsemi | DIODE GEN PURP 50V 1A APKG | запрос |
 |
JAN1N5711UR-1 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 70V 33MA DO213AA | запрос |
|
JAN1N5804 | Microsemi | DIODE GEN PURP 100V 2.5A AXIAL | запрос |
|
JAN1N5809URS | Microsemi | DIODE GEN PURP 100V 3A BPKG | запрос |
|
JAN1N5807US | Microsemi | DIODE GEN PURP 50V 6A B-MELF | запрос |
|
JAN1N5811 | Microsemi | DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL | запрос |
|
JAN1N5809US | Microsemi | DIODE GEN PURP 100V 6A B-MELF | запрос |
 |
JAN1N5806 | Microchip | DIODE GEN PURP 150V 2.5A AXIAL | запрос |
|
JAN1N5806URS | Microsemi | DIODE GEN PURP 150V 1A APKG | запрос |
|
JAN1N5807 | Microsemi | DIODE GEN PURP 50V 6A AXIAL | запрос |
|
JAN1N5806US | Microsemi | DIODE GEN PURP 150V 2.5A D5A | запрос |