JAN1N6471US
Microsemi
Изображения приведены только для справки.
См. Спецификации продукта для информации о продукте.
Купить JAN1N6471US с уверенностью от AtechElec.com, 1 год гарантии
См. Спецификации продукта для информации о продукте.
Купить JAN1N6471US с уверенностью от AtechElec.com, 1 год гарантии
Запрос цитаты
| Часть № | JAN1N6471US |
|---|---|
| производитель | Microsemi |
| Описание | TVS DIODE 12V 22.6V GMELF |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Содержит несоответствие свинца / RoHS |
| Ссылка Цена (в долларах США) | 100 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $29.529 | |||||
Спецификация
Техническая спецификация
| Напряжение - Обратный STANDOFF (типовое): | 12V |
|---|---|
| Напряжение - зажим (макс.) @ Ipp: | 22.6V |
| Напряжение - пробой (мин.): | 13.6V |
| Однонаправленные каналы: | 1 |
| Тип: | Zener |
| Поставщик Упаковка устройства: | G-MELF (D-5C) |
| Серии: | Military, MIL-PRF-19500/552 |
| Защита линий электропередач: | No |
| Мощность - пиковый импульс: | 1500W (1.5kW) |
| упаковка: | Bulk |
| Упаковка /: | SQ-MELF, G |
| Другие названия: | 1086-2287 1086-2287-MIL |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Тип установки: | Surface Mount |
| Уровень чувствительности влаги (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Ток - Пиковый импульс (10 / 1000μs): | 374A (8/20µs) |
| Емкость @ Частота: | - |
| Приложения: | General Purpose |
| Email: | info@atechelec.com |
Вводить
Мы можем предоставить JAN1N6471US, использовать форму цитаты запроса, чтобы запросить JAN1N6471US PIRCE и время выполнения заказа.Atech Electronics Профессиональный дистрибьютор электронных компонентов.С 3+ миллионами линейных элементов доступных электронных компонентов может быть доставлена в короткие сроки, а более 250 тысяч деталей в складе на складе для немедленной доставки, что может включать номер детали JAN1N6471US. Цена и время за выполнение JAN1N6471US в зависимости от количестваТребуется, доступность и склад
Связанные части для JAN1N6471US
| Фото | Тип продуктов | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
JAN1N6476 | Microsemi | TVS DIODE 51.6V 78.5V AXIAL | запрос |
 |
JAN1N6475US | Microsemi | TVS DIODE 40.3V 63.5V GMELF | запрос |
|
JAN1N6472 | Microsemi | TVS DIODE 15V 26.5V AXIAL | запрос |
|
JAN1N6471 | Microsemi | TVS DIODE 12V 22.6V AXIAL | запрос |
|
JAN1N6468US | Microsemi | TVS DIODE 51.6V 78.5V B SQ-MELF | запрос |
 |
JAN1N647-1 | Microsemi | DIODE GEN PURP 400V 400MA DO35 | запрос |
|
JAN1N6472US | Microsemi | TVS DIODE 15V 26.5V GMELF | запрос |
 |
JAN1N6474US | Microsemi | TVS DIODE 30.5V 47.5V GMELF | запрос |
|
JAN1N6470 | Microsemi Corporation | TVS DIODE 6VWM 11VC GPKG AXIAL | запрос |
|
JAN1N6469 | Microsemi | TVS DIODE 5V 9V AXIAL | запрос |
|
JAN1N6475 | Microsemi | TVS DIODE 40.3V 63.5V AXIAL | запрос |
 |
JAN1N647 | Microchip | запрос | |
|
JAN1N6474 | Microsemi | TVS DIODE 30.5V 47.5V AXIAL | запрос |
|
JAN1N6467US | Microsemi | TVS DIODE 40.3V 63.5V B SQ-MELF | запрос |
|
JAN1N6470US | Microsemi | TVS DIODE 6V 11V GMELF | запрос |
|
JAN1N6473US | Microsemi | TVS DIODE 24V 41.4V GMELF | запрос |
|
JAN1N6476US | Microsemi | TVS DIODE 51.6V 78.5V GMELF | запрос |
|
JAN1N6469US | Microsemi | TVS DIODE 5V 9V GMELF | запрос |
|
JAN1N6468 | Microsemi | TVS DIODE 51.6V 78.5V AXIAL | запрос |
|
JAN1N6473 | Microsemi | TVS DIODE 24V 41.4V AXIAL | запрос |