JAN1N6628US
Microsemi
Изображения приведены только для справки.
См. Спецификации продукта для информации о продукте.
Купить JAN1N6628US с уверенностью от AtechElec.com, 1 год гарантии
См. Спецификации продукта для информации о продукте.
Купить JAN1N6628US с уверенностью от AtechElec.com, 1 год гарантии
Запрос цитаты
| Часть № | JAN1N6628US |
|---|---|
| производитель | Microsemi |
| Описание | DIODE GEN PURP 660V 1.75A D5B |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Содержит несоответствие свинца / RoHS |
| Ссылка Цена (в долларах США) | 100 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $21.377 | |||||
Спецификация
Техническая спецификация
| Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если: | 1.35V @ 2A |
|---|---|
| Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс): | 660V |
| Поставщик Упаковка устройства: | D-5B |
| скорость: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Серии: | Military, MIL-PRF-19500/590 |
| Обратное время восстановления (ТИР): | 30ns |
| упаковка: | Bulk |
| Упаковка /: | E-MELF |
| Другие названия: | 1086-19987 1086-19987-MIL |
| Рабочая температура - Соединение: | -65°C ~ 150°C |
| Тип установки: | Surface Mount |
| Уровень чувствительности влаги (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Диод Тип: | Standard |
| Подробное описание: | Diode Standard 660V 1.75A Surface Mount D-5B |
| Ток - Обратный утечки @ Vr: | 2µA @ 660V |
| Текущий - средний выпрямленный (Io): | 1.75A |
| Емкостной @ В.Р., F: | 40pF @ 10V, 1MHz |
| Email: | info@atechelec.com |
Вводить
Мы можем предоставить JAN1N6628US, использовать форму цитаты запроса, чтобы запросить JAN1N6628US PIRCE и время выполнения заказа.Atech Electronics Профессиональный дистрибьютор электронных компонентов.С 3+ миллионами линейных элементов доступных электронных компонентов может быть доставлена в короткие сроки, а более 250 тысяч деталей в складе на складе для немедленной доставки, что может включать номер детали JAN1N6628US. Цена и время за выполнение JAN1N6628US в зависимости от количестваТребуется, доступность и склад
Связанные части для JAN1N6628US
| Фото | Тип продуктов | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
JAN1N6628U | Microsemi | DIODE GEN PURP 600V 1.75A E-MELF | запрос |
|
JAN1N6626U | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 1.75A E-MELF | запрос |
|
JAN1N6628 | Microsemi | DIODE GEN PURP 660V 1.75A AXIAL | запрос |
 |
JAN1N6629US | Microsemi | DIODE GEN PURP 880V 1.4A D5B | запрос |
|
JAN1N6630 | Microsemi | DIODE GEN PURP 900V 1.4A AXIAL | запрос |
 |
JAN1N6627US | Microsemi | DIODE GEN PURP 440V 1.75A D5B | запрос |
|
JAN1N6629 | Microsemi | DIODE GEN PURP 880V 1.4A AXIAL | запрос |
|
JAN1N6638 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 150V 300MA AXIAL | запрос |
|
JAN1N6627 | Microsemi | DIODE GEN PURP 440V 1.75A AXIAL | запрос |
|
JAN1N6630U | Microsemi | DIODE GEN PURP 900V 1.4A E-MELF | запрос |
|
JAN1N6626 | Microsemi | DIODE GEN PURP 220V 1.75A AXIAL | запрос |
|
JAN1N6625U | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1KV 1A A-MELF | запрос |
|
JAN1N6631 | Microsemi | DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A AXIAL | запрос |
|
JAN1N6630US | Microsemi | DIODE GEN PURP 900V 1.4A E-MELF | запрос |
|
JAN1N6631US | Microsemi | DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A D5B | запрос |
|
JAN1N6625US | Microsemi | DIODE GEN PURP 1.1KV 1A D5A | запрос |
|
JAN1N6627U | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 1.75A E-MELF | запрос |
|
JAN1N6631U | Microsemi | DIODE GEN PURP 1KV 1.4A E-MELF | запрос |
|
JAN1N6629U | Microsemi | DIODE GEN PURP 800V 1.4A E-MELF | запрос |
|
JAN1N6626US | Microsemi | DIODE GEN PURP 220V 1.75A D5B | запрос |