MAP6KE13AE3
Microsemi
Изображения приведены только для справки.
См. Спецификации продукта для информации о продукте.
Купить MAP6KE13AE3 с уверенностью от AtechElec.com, 1 год гарантии
См. Спецификации продукта для информации о продукте.
Купить MAP6KE13AE3 с уверенностью от AtechElec.com, 1 год гарантии
Запрос цитаты
| Часть № | MAP6KE13AE3 |
|---|---|
| производитель | Microsemi |
| Описание | TVS DIODE 11.1V 18.2V T-18 |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Содержит несоответствие свинца / RoHS |
| Ссылка Цена (в долларах США) | Получение предложения | ||||
Спецификация
Техническая спецификация
| Напряжение - Обратный STANDOFF (типовое): | 11.1V |
|---|---|
| Напряжение - зажим (макс.) @ Ipp: | 18.2V |
| Напряжение - пробой (мин.): | 12.4V |
| Однонаправленные каналы: | 1 |
| Тип: | Zener |
| Поставщик Упаковка устройства: | T-18 |
| Серии: | Military, MIL-PRF-19500 |
| Защита линий электропередач: | No |
| Мощность - пиковый импульс: | 600W |
| упаковка: | Bulk |
| Упаковка /: | T-18, Axial |
| Другие названия: | 1086-4502 1086-4502-MIL |
| Рабочая Температура: | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип установки: | Through Hole |
| Уровень чувствительности влаги (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Ток - Пиковый импульс (10 / 1000μs): | 33A |
| Емкость @ Частота: | - |
| Приложения: | General Purpose |
| Email: | info@atechelec.com |
Вводить
Мы можем предоставить MAP6KE13AE3, использовать форму цитаты запроса, чтобы запросить MAP6KE13AE3 PIRCE и время выполнения заказа.Atech Electronics Профессиональный дистрибьютор электронных компонентов.С 3+ миллионами линейных элементов доступных электронных компонентов может быть доставлена в короткие сроки, а более 250 тысяч деталей в складе на складе для немедленной доставки, что может включать номер детали MAP6KE13AE3. Цена и время за выполнение MAP6KE13AE3 в зависимости от количестваТребуется, доступность и склад
Связанные части для MAP6KE13AE3
| Фото | Тип продуктов | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
MAP6KE130A | Microsemi | TVS DIODE 111V 179V T-18 | запрос |
|
MAP6KE150CAE3 | Microsemi | TVS DIODE 128V 207V T-18 | запрос |
|
MAP6KE150AE3 | Microsemi | TVS DIODE 128V 207V T-18 | запрос |
|
MAP6KE13A | Microsemi | TVS DIODE 11.1V 18.2V T-18 | запрос |
|
MAP6KE12CAE3 | Microsemi | TVS DIODE 10.2V 16.7V T-18 | запрос |
|
MAP6KE150A | Microsemi | TVS DIODE 128V 207V T-18 | запрос |
|
MAP6KE15AE3 | Microsemi | TVS DIODE 12.8V 21.2V T-18 | запрос |
|
MAP6KE15CAE3 | Microsemi | TVS DIODE 12.8V 21.2V T-18 | запрос |
|
MAP6KE15CA | Microsemi | TVS DIODE 12.8V 21.2V T-18 | запрос |
|
MAP6KE130CA | Microsemi | TVS DIODE 111V 179V T-18 | запрос |
|
MAP6KE13CAE3 | Microsemi | TVS DIODE 11.1V 18.2V T-18 | запрос |
|
MAP6KE15A | Microsemi | TVS DIODE 12.8V 21.2V T-18 | запрос |
|
MAP6KE12CA | Microsemi | TVS DIODE 10.2V 16.7V T-18 | запрос |
|
MAP6KE13CA | Microsemi | TVS DIODE 11.1V 18.2V T-18 | запрос |
|
MAP6KE12A | Microsemi | TVS DIODE 10.2V 16.7V T-18 | запрос |
|
MAP6KE120CAE3 | Microsemi | TVS DIODE 102V 165V T-18 | запрос |
|
MAP6KE12AE3 | Microsemi | TVS DIODE 10.2V 16.7V T-18 | запрос |
|
MAP6KE130CAE3 | Microsemi | TVS DIODE 111V 179V T-18 | запрос |
|
MAP6KE150CA | Microsemi | TVS DIODE 128V 207V T-18 | запрос |
|
MAP6KE130AE3 | Microsemi | TVS DIODE 111V 179V T-18 | запрос |