MBR2X080A200
GeneSiC Semiconductor
Изображения приведены только для справки.
См. Спецификации продукта для информации о продукте.
Купить MBR2X080A200 с уверенностью от AtechElec.com, 1 год гарантии
См. Спецификации продукта для информации о продукте.
Купить MBR2X080A200 с уверенностью от AtechElec.com, 1 год гарантии
Запрос цитаты
| Часть № | MBR2X080A200 |
|---|---|
| производитель | GeneSiC Semiconductor |
| Описание | DIODE SCHOTTKY 200V 80A SOT227 |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Без свинца / Соответствует RoHS |
| Ссылка Цена (в долларах США) | 40 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $21.921 | |||||
Спецификация
Техническая спецификация
| Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если: | 920mV @ 80A |
|---|---|
| Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс): | 200V |
| Поставщик Упаковка устройства: | SOT-227 |
| скорость: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Серии: | - |
| упаковка: | Bulk |
| Упаковка /: | SOT-227-4, miniBLOC |
| Рабочая температура - Соединение: | -40°C ~ 150°C |
| Тип установки: | Chassis Mount |
| Уровень чувствительности влаги (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Стандартное время изготовления: | 4 Weeks |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Диод Тип: | Schottky |
| Диод Конфигурация: | 2 Independent |
| Подробное описание: | Diode Array 2 Independent Schottky 200V 80A Chassis Mount SOT-227-4, miniBLOC |
| Ток - Обратный утечки @ Vr: | 3mA @ 200V |
| Текущий - средний выпрямленный (Io) (за Diode): | 80A |
| Email: | info@atechelec.com |
Вводить
Мы можем предоставить MBR2X080A200, использовать форму цитаты запроса, чтобы запросить MBR2X080A200 PIRCE и время выполнения заказа.Atech Electronics Профессиональный дистрибьютор электронных компонентов.С 3+ миллионами линейных элементов доступных электронных компонентов может быть доставлена в короткие сроки, а более 250 тысяч деталей в складе на складе для немедленной доставки, что может включать номер детали MBR2X080A200. Цена и время за выполнение MBR2X080A200 в зависимости от количестваТребуется, доступность и склад
