MBRT200200R
GeneSiC Semiconductor
Изображения приведены только для справки.
См. Спецификации продукта для информации о продукте.
Купить MBRT200200R с уверенностью от AtechElec.com, 1 год гарантии
См. Спецификации продукта для информации о продукте.
Купить MBRT200200R с уверенностью от AtechElec.com, 1 год гарантии
Запрос цитаты
| Часть № | MBRT200200R |
|---|---|
| производитель | GeneSiC Semiconductor |
| Описание | DIODE SCHOTTKY 200V 100A 3 TOWER |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Без свинца / Соответствует RoHS |
| Ссылка Цена (в долларах США) | 25 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $43.955 | |||||
Спецификация
Техническая спецификация
| Напряжение - Пиковое обратное (Макс): | Schottky |
|---|---|
| Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс): | 1 Pair Common Anode |
| Напряжение - Разбивка: | Three Tower |
| скорость: | 100A |
| Серии: | - |
| Статус RoHS: | Bulk |
| Обратное время восстановления (ТИР): | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| поляризация: | Three Tower |
| Тип установки: | Chassis Mount |
| Уровень влажности (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Стандартное время изготовления: | 4 Weeks |
| Номер детали производителя: | MBRT200200R |
| Расширенное описание: | Diode Array 1 Pair Common Anode Schottky 200V 100A Chassis Mount Three Tower |
| Диод Конфигурация: | 1mA @ 200V |
| Описание: | DIODE SCHOTTKY 200V 100A 3 TOWER |
| Ток - Обратный утечки @ Vr: | 920mV @ 100A |
| Текущий - средний выпрямленный (Io) (за Diode): | 200V |
| Емкостной @ В.Р., F: | -55°C ~ 150°C |
| Email: | info@atechelec.com |
Вводить
Мы можем предоставить MBRT200200R, использовать форму цитаты запроса, чтобы запросить MBRT200200R PIRCE и время выполнения заказа.Atech Electronics Профессиональный дистрибьютор электронных компонентов.С 3+ миллионами линейных элементов доступных электронных компонентов может быть доставлена в короткие сроки, а более 250 тысяч деталей в складе на складе для немедленной доставки, что может включать номер детали MBRT200200R. Цена и время за выполнение MBRT200200R в зависимости от количестваТребуется, доступность и склад
