MJ11016
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Изображения приведены только для справки.
См. Спецификации продукта для информации о продукте.
Купить MJ11016 с уверенностью от AtechElec.com, 1 год гарантии
См. Спецификации продукта для информации о продукте.
Купить MJ11016 с уверенностью от AtechElec.com, 1 год гарантии
Запрос цитаты
| Часть № | MJ11016 |
|---|---|
| производитель | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Описание | TRANS NPN DARL 120V 30A TO3 |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Содержит несоответствие свинца / RoHS |
| Ссылка Цена (в долларах США) | Получение предложения | ||||
Спецификация
Техническая спецификация
| Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс): | 120V |
|---|---|
| Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic: | 4V @ 300mA, 30A |
| Тип транзистор: | NPN - Darlington |
| Поставщик Упаковка устройства: | TO-204 (TO-3) |
| Серии: | - |
| Мощность - Макс: | 200W |
| упаковка: | Tray |
| Упаковка /: | TO-204AA, TO-3 |
| Другие названия: | MJ11016OS |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 200°C (TJ) |
| Тип установки: | Through Hole |
| Уровень чувствительности влаги (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Частота - Переход: | 4MHz |
| Подробное описание: | Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 120V 30A 4MHz 200W Through Hole TO-204 (TO-3) |
| DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce: | 1000 @ 20A, 5V |
| Ток - Коллектор Граничная (Макс): | 1mA |
| Ток - коллектор (Ic) (Макс): | 30A |
| Email: | info@atechelec.com |
Вводить
Мы можем предоставить MJ11016, использовать форму цитаты запроса, чтобы запросить MJ11016 PIRCE и время выполнения заказа.Atech Electronics Профессиональный дистрибьютор электронных компонентов.С 3+ миллионами линейных элементов доступных электронных компонентов может быть доставлена в короткие сроки, а более 250 тысяч деталей в складе на складе для немедленной доставки, что может включать номер детали MJ11016. Цена и время за выполнение MJ11016 в зависимости от количестваТребуется, доступность и склад
