MJD31CRL
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Изображения приведены только для справки.
См. Спецификации продукта для информации о продукте.
Купить MJD31CRL с уверенностью от AtechElec.com, 1 год гарантии
См. Спецификации продукта для информации о продукте.
Купить MJD31CRL с уверенностью от AtechElec.com, 1 год гарантии
Запрос цитаты
| Часть № | MJD31CRL |
|---|---|
| производитель | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Описание | TRANS NPN 100V 3A DPAK |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Содержит несоответствие свинца / RoHS |
| Ссылка Цена (в долларах США) | Получение предложения | ||||
Спецификация
Техническая спецификация
| Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс): | 100V |
|---|---|
| Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic: | 1.2V @ 375mA, 3A |
| Тип транзистор: | NPN |
| Поставщик Упаковка устройства: | DPAK |
| Серии: | - |
| Мощность - Макс: | 1.56W |
| упаковка: | Tape & Reel (TR) |
| Упаковка /: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Рабочая Температура: | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип установки: | Surface Mount |
| Уровень чувствительности влаги (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Частота - Переход: | 3MHz |
| Подробное описание: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 100V 3A 3MHz 1.56W Surface Mount DPAK |
| DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce: | 10 @ 3A, 4V |
| Ток - Коллектор Граничная (Макс): | 50µA |
| Ток - коллектор (Ic) (Макс): | 3A |
| Номер базового номера: | MJD31 |
| Email: | info@atechelec.com |
Вводить
Мы можем предоставить MJD31CRL, использовать форму цитаты запроса, чтобы запросить MJD31CRL PIRCE и время выполнения заказа.Atech Electronics Профессиональный дистрибьютор электронных компонентов.С 3+ миллионами линейных элементов доступных электронных компонентов может быть доставлена в короткие сроки, а более 250 тысяч деталей в складе на складе для немедленной доставки, что может включать номер детали MJD31CRL. Цена и время за выполнение MJD31CRL в зависимости от количестваТребуется, доступность и склад
