MT28EW512ABA1LJS-0AAT
Micron Technology
Изображения приведены только для справки.
См. Спецификации продукта для информации о продукте.
Купить MT28EW512ABA1LJS-0AAT с уверенностью от AtechElec.com, 1 год гарантии
См. Спецификации продукта для информации о продукте.
Купить MT28EW512ABA1LJS-0AAT с уверенностью от AtechElec.com, 1 год гарантии
Запрос цитаты
| Часть № | MT28EW512ABA1LJS-0AAT |
|---|---|
| производитель | Micron Technology |
| Описание | IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Без свинца / Соответствует RoHS |
| Ссылка Цена (в долларах США) | 576 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $6.468 | |||||
Спецификация
Техническая спецификация
| Время цикла записи - слово, страница: | 60ns |
|---|---|
| Напряжение тока - поставка: | 2.7 V ~ 3.6 V |
| Технологии: | FLASH - NOR |
| Поставщик Упаковка устройства: | 56-TSOP (14x20) |
| Серии: | Automotive, AEC-Q100 |
| Упаковка /: | 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
| Рабочая Температура: | -40°C ~ 105°C (TA) |
| Тип установки: | Surface Mount |
| Уровень чувствительности влаги (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Тип памяти: | Non-Volatile |
| Размер памяти: | 512Mb (64M x 8, 32M x 16) |
| Интерфейс памяти: | Parallel |
| Формат памяти: | FLASH |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Подробное описание: | FLASH - NOR Memory IC 512Mb (64M x 8, 32M x 16) Parallel 105ns 56-TSOP (14x20) |
| Время доступа: | 105ns |
| Email: | info@atechelec.com |
Вводить
Мы можем предоставить MT28EW512ABA1LJS-0AAT, использовать форму цитаты запроса, чтобы запросить MT28EW512ABA1LJS-0AAT PIRCE и время выполнения заказа.Atech Electronics Профессиональный дистрибьютор электронных компонентов.С 3+ миллионами линейных элементов доступных электронных компонентов может быть доставлена в короткие сроки, а более 250 тысяч деталей в складе на складе для немедленной доставки, что может включать номер детали MT28EW512ABA1LJS-0AAT. Цена и время за выполнение MT28EW512ABA1LJS-0AAT в зависимости от количестваТребуется, доступность и склад
