NRVHP8H200MFDWFT3G
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Изображения приведены только для справки.
См. Спецификации продукта для информации о продукте.
Купить NRVHP8H200MFDWFT3G с уверенностью от AtechElec.com, 1 год гарантии
См. Спецификации продукта для информации о продукте.
Купить NRVHP8H200MFDWFT3G с уверенностью от AtechElec.com, 1 год гарантии
Запрос цитаты
| Часть № | NRVHP8H200MFDWFT3G |
|---|---|
| производитель | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Описание | PUF 4A 200V IN SO-8FL DUA |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS |
| Ссылка Цена (в долларах США) | 1500 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.48 | |||||
Спецификация
Техническая спецификация
| Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если: | 910mV @ 8A |
|---|---|
| Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс): | 200V |
| Поставщик Упаковка устройства: | 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) |
| скорость: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Серии: | Automotive, AEC-Q101, SWITCHMODE™ |
| Обратное время восстановления (ТИР): | 30ns |
| Упаковка /: | 8-PowerTDFN |
| Рабочая температура - Соединение: | -55°C ~ 175°C |
| Тип установки: | Surface Mount |
| Стандартное время изготовления: | 50 Weeks |
| Свободный свинец: | Lead free |
| Диод Тип: | Standard |
| Диод Конфигурация: | 2 Independent |
| Подробное описание: | Diode Array 2 Independent Standard 200V 4A Surface Mount 8-PowerTDFN |
| Ток - Обратный утечки @ Vr: | 500nA @ 200V |
| Текущий - средний выпрямленный (Io) (за Diode): | 4A |
| Email: | info@atechelec.com |
Вводить
Мы можем предоставить NRVHP8H200MFDWFT3G, использовать форму цитаты запроса, чтобы запросить NRVHP8H200MFDWFT3G PIRCE и время выполнения заказа.Atech Electronics Профессиональный дистрибьютор электронных компонентов.С 3+ миллионами линейных элементов доступных электронных компонентов может быть доставлена в короткие сроки, а более 250 тысяч деталей в складе на складе для немедленной доставки, что может включать номер детали NRVHP8H200MFDWFT3G. Цена и время за выполнение NRVHP8H200MFDWFT3G в зависимости от количестваТребуется, доступность и склад
