NTHD2102PT1G
Изображения приведены только для справки.
См. Спецификации продукта для информации о продукте.
Купить NTHD2102PT1G с уверенностью от AtechElec.com, 1 год гарантии
См. Спецификации продукта для информации о продукте.
Купить NTHD2102PT1G с уверенностью от AtechElec.com, 1 год гарантии
Запрос цитаты
| Часть № | NTHD2102PT1G |
|---|---|
| производитель | onsemi |
| Описание | MOSFET 2P-CH 8V 3.4A CHIPFET |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Без свинца / Соответствует RoHS |
| Ссылка Цена (в долларах США) | Получение предложения | ||||
Спецификация
Техническая спецификация
| Vgs (й) (Max) @ Id: | 1.5V @ 250µA |
|---|---|
| Поставщик Упаковка устройства: | ChipFET™ |
| Серии: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 58 mOhm @ 3.4A, 4.5V |
| Мощность - Макс: | 1.1W |
| упаковка: | Cut Tape (CT) |
| Упаковка /: | 8-SMD, Flat Lead |
| Другие названия: | NTHD2102PT1GOSCT |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип установки: | Surface Mount |
| Уровень чувствительности влаги (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds: | 715pF @ 6.4V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs: | 16nC @ 2.5V |
| Тип FET: | 2 P-Channel (Dual) |
| FET Характеристика: | Logic Level Gate |
| Слить к источнику напряжения (VDSS): | 8V |
| Подробное описание: | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 8V 3.4A 1.1W Surface Mount ChipFET™ |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C: | 3.4A |
| Номер базового номера: | NTHD2102P |
| Email: | info@atechelec.com |
Вводить
Мы можем предоставить NTHD2102PT1G, использовать форму цитаты запроса, чтобы запросить NTHD2102PT1G PIRCE и время выполнения заказа.Atech Electronics Профессиональный дистрибьютор электронных компонентов.С 3+ миллионами линейных элементов доступных электронных компонентов может быть доставлена в короткие сроки, а более 250 тысяч деталей в складе на складе для немедленной доставки, что может включать номер детали NTHD2102PT1G. Цена и время за выполнение NTHD2102PT1G в зависимости от количестваТребуется, доступность и склад
